[发明专利]一种半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202111497512.X | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114242851A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李全同;刘珠明;王长安;宋鹏程;张衍俊;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王忠宝 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，所述半导体器件制作方法包括：
提供一衬底；
基于所述衬底生长氮化镓层；
对所述氮化镓层进行铟掺杂，其中，掺杂后的铟组分大于9.5％；
基于掺杂后的氮化镓层生长外延层，以制作半导体器件。
2.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，掺杂后的铟组分位于9.5％～20％之间。
3.如权利要求2所述的半导体器件制作方法，其特征在于，掺杂后的铟组分位于13％～20％之间。
4.如权利要求3所述的半导体器件制作方法，其特征在于，掺杂后的铟组分等于20％。
5.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述提供一衬底的步骤包括：
提供一蓝宝石衬底；
所述基于所述衬底生长氮化镓层的步骤包括：
基于所述蓝宝石衬底生长氮化镓层。
6.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述基于掺杂后的氮化镓层生长外延层的步骤包括：
基于所述掺杂后的氮化镓层生长发光层，以制作半导体发光器件。
7.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
衬底；
与衬底连接的掺铟氮化镓层，其中，所述掺铟氮化镓层中铟组分大于9.5％；
与所述掺铟氮化镓层相连的外延层。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述掺铟氮化镓层中的铟组分位于9.5％～20％之间。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述掺铟氮化镓层中的铟组分位于13％～20％之间。
10.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，当所述半导体器件为半导体发光器件时，所述外延层包括发光层。
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