[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

说明书

本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，首先提供一衬底，然后基于衬底生长氮化镓层，并对氮化镓层进行铟掺杂，其中，掺杂后的铟组分大于9.5％，最后基于掺杂后的氮化镓层生长外延层，以制作半导体器件。本申请提供的半导体器件及其制作方法具有降低了半导体器件的螺型位错且工艺较为简单的效果。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及其制作方法。

背景技术

氮化镓材料因其优良的光电特性被应用于发光二极管和激光二极管。但由于没有完全匹配的衬底材料，外延生长的氮化镓薄膜中往往存在着大量的线性螺型位错。

然而，螺型位错对氮化镓基发光器件是有害的，螺型位错作为有效的非辐射复合中心，在螺型位错密集区域,少数载流子由于非辐射复合而大量减少，从而大大降低氮化镓发光二极管的发光效率、减少激光器的使用寿命。为了提高氮化镓基发光器件性能，促进氮化镓基发光二极管产业的发展，必须减少氮化镓材料中的螺型位错。

综上，现有技术中存在氮化镓薄膜中存在大量的螺型位错，降低了氮化镓基器件性能的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种半导体器件及其制作方法，以解决现有技术中存在的氮化镓薄膜中存在大量的螺型位错，降低了氮化镓基器件性能的问题。

为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种半导体器件制作方法，所述半导体器件制作方法包括：

提供一衬底；

基于所述衬底生长氮化镓层；

对所述氮化镓层进行铟掺杂，其中，掺杂后的铟组分大于9.5％；

基于掺杂后的氮化镓层生长外延层，以制作半导体器件。

可选地，掺杂后的铟组分位于9.5％～20％之间。

可选地，掺杂后的铟组分位于13％～20％之间。

可选地，掺杂后的铟组分等于20％。

可选地，所述提供一衬底的步骤包括：

提供一蓝宝石衬底；

所述基于所述衬底生长氮化镓层的步骤包括：

基于所述蓝宝石衬底生长氮化镓层。

可选地，所述基于掺杂后的氮化镓层生长外延层的步骤包括：

基于所述掺杂后的氮化镓层生长发光层，以制作半导体发光器件。

另一方面，本申请实施例还提供了一种半导体器件，所述半导体器件制作方法包括：

衬底；

与衬底连接的掺铟氮化镓层，其中，所述掺铟氮化镓层中铟组分大于9.5％；

与所述掺铟氮化镓层相连的外延层。

可选地，所述掺铟氮化镓层中的铟组分位于9.5％～20％之间。

可选地，所述掺铟氮化镓层中的铟组分位于13％～20％之间。

可选地，当所述半导体器件为半导体发光器件时，所述外延层包括发光层。

相对于现有技术，本申请具有以下有益效果：