[发明专利]显示面板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202111498839.9 申请日: 2021-12-09
公开(公告)号: CN114203730B 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: 陈远鹏;徐源竣 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 汪阮磊
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种显示面板,其特征在于,包含:

基板,在所述基板上依次设置第一金属层及第一绝缘层,所述第一绝缘层包含第一区域及与所述第一区域相邻的一第二区域,所述第二区域的厚度小于所述第一区域的厚度;

氧化物半导体层,设置在所述第一绝缘层的所述第一区域远离所述第一金属层的表面上,其中所述氧化物半导体层的至少一部分在所述基板上的投影与所述第一金属层在所述基板上的投影重合;其中,所述第一绝缘层与所述氧化物半导体层交叠的区域为所述第一区域,所述第一绝缘层不与所述氧化物半导体层交叠的区域为所述第二区域;

第二绝缘层,设置在所述氧化物半导体层远离所述第一绝缘层的表面上,在所述第二绝缘层上依次设置第二金属层以及第三绝缘层,所述第三绝缘层覆盖所述第二金属层、所述第二绝缘层、所述氧化物半导体层及所述第一绝缘层;以及

第三金属层,设置在所述第三绝缘层远离所述第二金属层的表面上,所述第三金属层通过第一过孔及第二过孔与所述氧化物半导体层电性连接;所述第三金属层通过开设在所述第二区域的第三过孔与所述第一金属层连接,所述第三过孔贯穿所述第一绝缘层和所述第三绝缘层;其中,所述第一金属层为遮光金属层,所述氧化物半导体层为有源层,所述第二绝缘层为栅极绝缘层,所述第二金属层为栅极,所述第三金属层为源漏极。

2.如权利要求1所述显示面板,其特征在于,所述第一绝缘层为无机缓冲层,所述第三绝缘层为介电质层。

3.如权利要求1所述显示面板,其特征在于,还包括覆盖在所述第三绝缘层及所述第三金属层的钝化层,所述钝化层厚度介于之间。

4.如权利要求1所述显示面板,其特征在于,所述第二金属层包括第一过渡金属部及层叠在所述第一过渡金属部上的第一金属材料部,所述第三金属层包括第二过渡金属部及层叠在所述第二过渡金属部上的第二金属材料部。

5.如权利要求4所述显示面板,其特征在于,所述第一过渡金属部的材料为钼、钛、钨、铬、镍或其组合,所述第一金属材料部的材料为铜、铝。

6.如权利要求4所述显示面板,其特征在于,所述第二过渡金属部的材料为钼、钛、钨、铬、镍或其组合,所述第二金属材料部的材料为铜、铝。

7.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供基板,在所述基板上依次沉积第一金属层及第一绝缘层,所述第一绝缘层包含第一区域及与所述第一区域相邻的一第二区域,所述第二区域的厚度小于所述第一区域的厚度;

在所述第一绝缘层的所述第一区域远离所述第一金属层的表面上沉积氧化物半导体层,所述氧化物半导体层的至少一部分在所述基板上的投影与所述第一金属层在所述基板上的投影重合;其中,所述第一绝缘层与所述氧化物半导体层交叠的区域为所述第一区域,所述第一绝缘层不与所述氧化物半导体层交叠的区域为所述第二区域;

在所述氧化物半导体层远离所述第一绝缘层的表面上沉积第二绝缘层,在所述第二绝缘层上依次沉积第二金属层以及第三绝缘层;以及

在所述第三绝缘层远离所述第二金属层的表面上沉积第三金属层,所述第三金属层通过第一过孔及第二过孔与所述氧化物半导体层电性连接,所述第三金属层通过形成在所述第二区域的第三过孔与所述第一金属层连接,所述第三过孔贯穿所述第一绝缘层和所述第三绝缘层;其中,所述第一金属层为遮光金属层,所述氧化物半导体层为有源层,所述第二绝缘层为栅极绝缘层,所述第二金属层为栅极,所述第三金属层为源漏极。

8.如权利要求7所述显示面板的制作方法,其特征在于,所述第二金属层包括第一过渡金属部及设置在所述第一过渡金属部上的第一金属材料部,所述第一过渡金属部的材料为钼、钛、钨、铬、镍或其组合,且厚度为所述第一金属材料部的材料为铜、铝,且厚度为

9.如权利要求7所述显示面板的制作方法,其特征在于,所述第三金属层包括第二过渡金属部及设置在所述第二过渡金属部上的第二金属材料部,所述第二过渡金属部的材料为钼、钛、钨、铬、镍或其组合,且厚度为所述第二金属材料部的材料为铜、铝,且为厚度

10.如权利要求7所述显示面板的制作方法,其特征在于,还包括覆盖在所述第三绝缘层及所述第三金属层的钝化层,所述钝化层厚度介于之间。

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