[发明专利]显示面板及其制作方法

说明书

一种显示面板包含依次层叠设置的基板、第一金属层、第一绝缘层、氧化物半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层以及第三金属层。所述第一绝缘层包含第一区域及与所述第一区域相邻的一第二区域，所述第二区域的厚度小于所述第一区域的厚度。所述氧化物半导体层的至少一部分在所述基板上的投影与所述第一金属层在所述基板上的投影重合。所述第三金属层通过第三过孔与所述第一金属层连接，所述第三过孔贯穿所述第一绝缘层和所述第三绝缘层，从而提升TFT电性的均匀性以及显示品质。本发明还提供一种显示面板的制作方法。

技术领域

本发明涉及一种显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制作方法。

背景技术

氧化物半导体（例如氧化铟镓锌，Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO）因其优异的性能，氧化物半导体（IGZO）相比于非晶硅（Amorphous silicon, A-Si）和低温多晶硅（Low-temperature polycrystalline silicon，LTPS）而言，在迁移率/大面积均匀性，以及成本上具备综合优势，被应用于AMOLED（Active-matrix organic light emitting diode，有源矩阵有机发光二极体）显示中作为阵列基板的半导体主动层。AMOLED显示技术，尤其是大尺寸显示（TV）中，对TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶体管）器件的寄生电容要求很高，大的器件和走线造成的寄生电容会造成高的电阻电容延迟（RC-Delay），从而降低面板显示性能。相比于底栅结构的IGZO TFT器件，采用顶栅结构会在很大程度上降低因为栅电极与源漏电极交叠造成的寄生电容高的问题。顶栅(Top Gate, TG)结构的IGZO器件需要在半导体主动层的特定区域进行栅极绝缘层（gate insulation，GI）的蚀刻，并对该区域进行导体化处理，便于形成良好接触降低导通电阻。大尺寸AMOLED显示中，制程非均匀性常常在产品中引入显示的不均匀性，造成显示性能下降。

发明内容

本发明的目的，在于提供一种显示面板及其制作方法，采用增加第二绝缘层过蚀刻工艺，提高第二绝缘层蚀刻和氧化物半导体层导体化的均匀性，从而提升显示面板的显示品质。

为达到本发明前述目的，本发明提供一种显示面板，包含基板、氧化物半导体层、第二绝缘层以及第三金属层。在所述基板上依次设置第一金属层及第一绝缘层，所述第一绝缘层包含第一区域及与所述第一区域相邻的一第二区域，所述第二区域的厚度小于所述第一区域的厚度。氧化物半导体层设置在所述第一绝缘层的所述第一区域远离所述第一金属层的表面上，其中所述氧化物半导体层的至少一部分在所述基板上的投影与所述第一金属层在所述基板上的投影重合。第二绝缘层设置在所述氧化物半导体层远离所述第一绝缘层的表面上，在所述第二绝缘层上依次设置第二金属层以及第三绝缘层。第三金属层设置在所述第三绝缘层远离所述第二金属层的表面上，所述第三金属层通过第一过孔及第二过孔与所述氧化物半导体层电性连接，所述第三金属层通过开设在所述第二区域的第三过孔与所述第一金属层连接，所述第三过孔贯穿所述第一绝缘层和所述第三绝缘层。

优选地，所述第一金属层为遮光金属层、所述第一绝缘层为无机缓冲层，所述氧化物半导体层为有源层，所述第二绝缘层为栅极绝缘层，所述第二金属层为栅极，所述第三绝缘层为介电质层，所述第三金属层为源漏极。

优选地，还包括覆盖在所述第三绝缘层及所述第三金属层的钝化层，所述钝化层厚度介于1000-5000Å之间。

优选地，所述第二金属层包括第一过渡金属部及层叠在所述第一过渡金属部上的第一金属材料部，所述第三金属层则包括第二过渡金属部及层叠在所述第二过渡金属部上的第二金属材料部。

优选地，所述第一过渡金属部的材料为钼、钛、钨、铬、镍或其组合，所述第一金属材料部的材料为铜、铝。

优选地，所述第二过渡金属部的材料为钼、钛、钨、铬、镍或其组合，所述第二金属材料部的材料为铜、铝。