[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括阵列排布的薄膜晶体管，所述制作方法包括：

在衬底上形成图案化的第一金属层、半导体层和第二金属层；

在所述第二金属层上形成绝缘层；

在所述绝缘层上涂布第一光阻层，采用第一道光罩对所述第一光阻层进行曝光、显影处理，形成图案化的光阻，所述图案化的光阻的坡度角为直角或钝角；

在所述绝缘层和所述沉积像素电极层，使得所述图案化的光阻的侧面显露于所述像素电极层；

去除所述图案化的光阻，在所述绝缘层上形成图案化的像素电极。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述去除所述图案化的光阻的步骤，包括：

采用剥离液去除所述图案化的光阻。

3.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述绝缘层和所述沉积像素电极层的步骤之前，还包括：

对所述图案化的光阻进行预剥离处理，以使得所述图案化的光阻形成多孔结构。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一光阻层的厚度范围为0.1μm-50μm。

5.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述绝缘层上涂布第一光阻层，采用第一道光罩对所述第一光阻层进行曝光、显影处理，形成图案化的光阻的步骤，包括：

采用所述第一道光罩对所述第一光阻层进行曝光、显影，去除待形成像素电极过孔处的光阻以及去除待形成像素电极的区域的光阻，形成所述图案化的光阻。

6.如权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述图案化的像素电极包括：

连接电极，所述连接电极通过一贯穿所述绝缘层的像素电极过孔与所述第二金属层电性连接；

主电极，与所述连接电极电性连接。

7.如权利要求1-6任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在衬底上形成图案化的第一金属层的步骤包括：

在所述第一金属层上形成第二光阻层；

采用第二道光罩对所述第二光阻层进行图案化处理；

以图案化后的所述第二光阻层为掩模，刻蚀所述第一金属层；

去除所述第二光阻层，形成图案化的第一金属层。

8.如权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在衬底上形成图案化的半导体层和第二金属层的步骤包括：

在所述第一金属层上依次形成绝缘层、半导体层和第二金属层；

在所述第二金属层上形成第三光阻层；

采用第三道光罩对所述第三光阻层进行图案化处理；

以图案化后的所述第三光阻层为掩模，刻蚀所述第二金属层和所述半导体层；

去除所述第二光阻层，形成图案化的所述半导体层和所述第二金属层。

9.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述的阵列基板的制作方法形成。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。