[发明专利]一种由易氧化金属镀膜保护制备的高致密NiV合金溅射靶材及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111500588.3 申请日: 2021-12-09
公开(公告)号: CN114318255B 公开(公告)日: 2022-09-16
发明(设计)人: 闻明;管伟明;陈力;王传军;普志辉;杨海;李思勰;许彦亭;沈月;巢云秀 申请(专利权)人: 贵研铂业股份有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C22C19/03;C23C14/16;C23C14/26;C22F1/10;C22C1/06;C22C1/02
代理公司: 昆明知道专利事务所(特殊普通合伙企业) 53116 代理人: 姜开侠
地址: 650000 云南省昆明市*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化 金属 镀膜 保护 制备 致密 niv 合金 溅射 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种高致密NiV合金溅射靶材的制备方法,由基材铸锭与清洗处理、基材镀膜、坯材轧制、再结晶处理和机加工处理工艺实现,其特征在于具体工艺步骤为:

(1)基材铸锭与清洗处理:使用纯度≥99.99wt%的Ni和V金属为原料,按照V:5~8wt%,Ni:92~95wt%的比例进行配料,将混合料放入中频真空感应熔炼炉中,待原料完全熔化后,按0.01~0.08%重量比加入除氧剂,继续保持熔融状态3~10min后,在浇铸模具上架设一漏斗,将合金熔体浇入模具中,待铸锭完全冷却后取出,并采用无水酒精进行超声清洗并干燥,得到铸锭;

(2)基材镀膜:将基材铸锭放置入电阻蒸发镀膜机中,将真空抽至≤1x10-3Pa,以易氧化金属颗粒为蒸发料进行蒸发镀膜,镀膜电流50~200A,控制蒸发镀时间为5~15min,获得所需膜厚度的易氧化金属保护镀膜基材坯料;

(3)坯料轧制:先将镀膜基材于1100~1300℃温度下进行热轧,纵向轧制,单道次轧制变形量为12~30%,道次之间进行回炉加热,加热时间5~10min,总轧制变形量为60%;坯料冷却后再进行冷轧,横向轧制,单道次轧制变形量为3~6%,总轧制变形量为30%;

(4)再结晶处理:将轧制后的基材坯料于300~600℃温度下进行再结晶处理,再结晶时间为1~3h,取出空冷得到靶材板坯;

(5)机加工处理:对靶材板坯进行车削或者铣削加工获得所述的高致密NiV合金溅射靶材。

2.根据权利要求1所述高致密NiV合金溅射靶材的制备方法,其特征在于步骤(1)所述除氧剂为Mg2Ni、MgNi2、NiTi2、NiTi、Ni3Ti、NiAl3、Ni2Al、NiAl、Ni5Al3、Ni3Al或其中二者以上的混合物。

3.根据权利要求1所述高致密NiV合金溅射靶材的制备方法,其特征在于步骤(1)所述易氧化金属为纯度≥99.99wt%的Ni,Al或Ti金属中一种以上。

4.根据权利要求1所述高致密NiV合金溅射靶材的制备方法,其特征在于步骤(3)所述热轧之纵向轧制的单道次轧制变形量为15~25%,道次之间回炉加热时间6~8min。

5.根据权利要求1所述高致密NiV合金溅射靶材的制备方法,其特征在于步骤(3)所述冷轧之横向轧制的单道次轧制变形量为4~5%。

6.根据权利要求1所述高致密NiV合金溅射靶材的制备方法,其特征在于步骤(4)所述基材坯料于400~500℃温度下进行再结晶处理,再结晶时间为1.5~2.5h,取出空冷得到靶材板坯。

7.根据权利要求1所述高致密NiV合金溅射靶材的制备方法,其特征在于所述基材表面有易氧化金属保护镀膜,其膜层厚度≤5μm;所述溅射靶材致密度≥99.5%,且无肉眼可见的缺陷,其纯度≥99.99wt%,氧含量≤30ppm,靶材的晶粒尺寸均匀,其平均晶粒尺寸为10~30μm;所述溅射靶材之表层机加工处理的去除深度≤0.5mm。

8.根据权利要求1所述高致密NiV合金溅射靶材的制备方法,其特征在于所述靶材之基材原料由纯度≥99.99wt%的Ni和V金属组成,其中V:6.5~7.5wt%,Ni:92.5~93.5wt%;及外加总重量比0.03~0.06%的除氧剂。

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