[发明专利]一种金刚石薄膜具有密封性的制备装置在审
申请号: | 202111506731.X | 申请日: | 2021-12-10 |
公开(公告)号: | CN114182229A | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 乐务时 | 申请(专利权)人: | 金豹科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/44;C23C16/455 |
代理公司: | 湖南楚墨知识产权代理有限公司 43268 | 代理人: | 麦振声 |
地址: | 215000 江苏省苏州市自由贸易试验区苏州片*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金刚石 薄膜 具有 密封性 制备 装置 | ||
本发明公开了一种金刚石薄膜具有密封性的制备装置,属于金刚石薄膜制备领域。一种金刚石薄膜具有密封性的制备装置,包括底座、压紧机构和支架,所述底座的外侧设置有连接框,且连接框的顶部安装有连接座,并且连接座的底部设置有密封条,所述压紧机构设置于连接座的外侧,且压紧机构的顶部设置有密封防护罩,所述底座的顶部开设有加工槽,且加工槽的内部设置有导向杆,并且导向杆的顶部设置有加工台,所述加工台的底部设置有弹簧;本发明设置有压紧机构,能够便捷稳定的加装防护罩,保证设备内部加工环境为密封环境,有效提高加工稳定与安全,同时设备能够灵活调节加工头位置与角度,利于满足不同使用需求。
技术领域
本发明涉及金刚石薄膜制备装置技术领域,尤其涉及一种金刚石薄膜具有密封性的制备装置。
背景技术
金刚石薄膜通常以甲烷、乙炔等碳氢化合物为原料,用热灯丝裂解、微波等离子体气相淀积、电子束离子束轰击镀膜等技术,在硅、碳化硅、碳化钨、氧化铝、石英、玻璃、钼、钨、钽等各种基板上反应生长而成,不仅具有金刚石的硬度,还有良好的导热性、良好的从紫外到红外的光学透明性和高度的化学稳定性,在半导体、光学、航天航空工业、大规模集成电路等领域有广泛的应用前景,已在硬质切削刀具、X射线窗口材料、贵重软质物质保护涂层等方面应用。
经检索,中国专利授权号为CN201820031565.X的专利,公开了一种并行周向连续式类金刚石薄膜涂覆设备的装置,包括类金刚石薄膜工艺腔体、回转腔体、进料系统、真空系统、物料车,类金刚石薄膜工艺腔体内设置有三组工艺组件密封板、周向分布的四组储料腔、回转装置、物料引导装置,物料传导装置、物料腔,进料系统设置有可开合的密封门板,真空系统分别对金刚石薄膜工艺腔体与回转腔体的组合体、进料系统进行真空处理,类金刚石薄膜工艺腔体内可形成独立真空室并独立进行类金刚石薄膜制备,回转装置可实现物料车的传动及自转,回转腔体内的物料腔可与储料腔及进料系统形成密封的独立真空室,进料系统可将物料取出及放入。上述专利中的一种并行周向连续式类金刚石薄膜涂覆设备的装置存在以下不足:大多设备不能便捷进行多角度调节加工,且不能很好对加工环境进行密封操作,对于加工具有一定影响。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中大多设备不能便捷进行多角度调节加工,且不能很好对加工环境进行密封操作,对于加工具有一定影响的问题,而提出的一种金刚石薄膜具有密封性的制备装置。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
2、一种金刚石薄膜具有密封性的制备装置,包括底座、压紧机构和支架,所述底座的外侧设置有连接框,且连接框的顶部安装有连接座,并且连接座的底部设置有密封条,所述压紧机构设置于连接座的外侧,且压紧机构的顶部设置有密封防护罩,所述底座的顶部开设有加工槽,且加工槽的内部设置有导向杆,并且导向杆的顶部设置有加工台,所述加工台的底部设置有弹簧。
优选的,所述底座的顶部设置有传动机构,且传动机构的外侧设置有固定轨,所述支架设置于传动机构的端部,所述支架的底部连接有滑轨,所述支架的边侧设置有转轴,且转轴的端部设置有斜块,并且斜块的顶部设置有连接杆,所述连接杆的端部连接有加工头,所述连接杆的外侧设置有导向件,且导向件的端部连接有固定杆。
优选的,所述压紧机构包括固定板、螺杆和压紧块,所述固定板的中部贯穿有螺杆,且螺杆的的端部连接有压紧块。
优选的,所述压紧块通过螺杆与固定板之间构成升降结构,且压紧块与螺杆之间相互垂直,并且密封防护罩通过螺杆与连接框之间构成可拆卸结构。
优选的,所述加工台通过弹簧与导向杆之间构成升降结构,且导向杆关于加工台的中轴线对称设置。
优选的,所述传动机构包括电动轴、传动杆、活动轨、推杆,所述电动轴的端部连接有传动杆,且传动杆的端部连接有活动轨,并且活动轨的外侧设置有推杆。
优选的,所述推杆通过活动轨与传动杆之间构成传动结构,且支架通过推杆与滑轨之间构成滑动结构。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的