[发明专利]供电电路与电子设备有效
申请号: | 202111509293.2 | 申请日: | 2021-12-10 |
公开(公告)号: | CN114326892B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 刘程斌;汤雪川;沈小玉;曾许英 | 申请(专利权)人: | 湖南国科微电子股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 张岳峰 |
地址: | 410100 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 供电 电路 电子设备 | ||
1.一种供电电路,其特征在于,包括:
偏置电流生成单元,包括第一镜像模块和第一电阻,在所述第一镜像模块和第一电阻的作用下生成偏置电流;
基准电压生成单元,与所述偏置电流生成单元电连接,包括第二镜像模块和第二电阻,在所述第二镜像模块的作用下将所述偏置电流镜像至所述第二电阻上形成基准电流,所述基准电流流过所述第二电阻形成基准电压;
电压稳定单元,与所述基准电压生成单元电连接,包括第三镜像模块和电压跟随模块,在所述第三镜像模块的作用下将所述偏置电流镜像至所述电压稳定单元中,输入至所述电压跟随模块中的所述基准电压,在所述电压跟随模块的作用下生成稳定的供电电压;
耐高压单元,包括第一耐高压模块、第二耐高压模块和第三耐高压模块,所述第一耐高压模块与所述第一镜像模块电连接,所述第一耐高压模块包括第二P型场效应管和第四P型场效应管,所述第二P型场效应管和所述第四P型场效应管镜像对称,所述第二耐高压模块与所述第二镜像模块电连接,所述第二耐高压模块包括第六P型场效应管,所述第六P型场效应管与所述第二P型场效应管镜像对称,所述第三耐高压模块分别与所述第三镜像模块和所述电压跟随模块电连接,所述第三耐高压模块包括第八P型场效应管,所述第八P型场效应管与所述第二P型场效应管镜像对称。
2.根据权利要求1所述的供电电路,其特征在于,所述第一镜像模块包括第一P型场效应管、第三P型场效应管、第一N型场效应管和第二N型场效应管,所述第一P型场效应管与所述第三P型场效应管镜像对称,所述第一N型场效应管和所述第二N型场效应管镜像对称,所述第一P型场效应管与所述第二N型场效应管电连接,所述第三P型场效应管与所述第一N型场效应管电连接,所述第二N型场效应管与所述第一电阻电连接。
3.根据权利要求2所述的供电电路,其特征在于,所述第二镜像模块包括第五P型场效应管,所述第五P型场效应管与所述第一P型场效应管镜像对称。
4.根据权利要求2所述的供电电路,其特征在于,所述第三镜像模块包括第七P型场效应管和第四N型场效应管,所述第七P型场效应管和所述第四N型场效应管分别与所述电压跟随模块电连接,所述第七P型场效应管与所述第一P型场效应管镜像对称,所述第四N型场效应管与所述第二N型场效应管镜像对称。
5.根据权利要求4所述的供电电路,其特征在于,所述电压跟随模块包括第三N型场效应管、第九P型场效应管和第十P型场效应管,所述第三N型场效应管的栅极和所述第十P型场效应管的栅极分别与所述第二电阻的高电压端电连接,所述第三N型场效应管的源极和所述第十P型场效应管的漏极分别与所述第四N型场效应管的漏极电连接,所述第三N型场效应管的漏极与所述第九P型场效应管的栅极电连接,所述第十P型场效应管的源极与所述第九P型场效应管的漏极电连接,所述第九P型场效应管的源极与所述第七P型场效应管的源极电连接。
6.根据权利要求1所述的供电电路,其特征在于,所述供电电路还包括第三电阻,所述第三电阻为所述耐高压单元提供偏置电压。
7.根据权利要求1所述的供电电路,其特征在于,所述第二P型场效应管、所述第四P型场效应管、第六P型场效应管和第八P型场效应管分别为高压管。
8.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1至7中任一项所述的供电电路。
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