[发明专利]供电电路与电子设备有效
申请号: | 202111509293.2 | 申请日: | 2021-12-10 |
公开(公告)号: | CN114326892B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 刘程斌;汤雪川;沈小玉;曾许英 | 申请(专利权)人: | 湖南国科微电子股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 张岳峰 |
地址: | 410100 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 供电 电路 电子设备 | ||
本申请提供了一种供电电路与电子设备。该供电电路包括:偏置电流生成单元、基准电压生成单元和电压稳定单元,其中偏置电流生成单元包括第一镜像模块和第一电阻,用于在第一镜像模块和第一电阻的作用下生成偏置电流;基准电压生成单元包括第二镜像模块和第二电阻,在第二镜像模块的作用下将偏置电流镜像至第二电阻上形成基准电流,基准电流流过第二电阻形成基准电压;电压稳定单元包括第三镜像模块和电压跟随模块,在电压跟随模块的作用下生成稳定的供电电压,即该电路可以提供稳定的供电电压,且整个电路中并无运算放大器结构,解决了现有技术中耐高压供电电路功耗大的问题。
技术领域
本申请涉及电子电路领域,具体而言,涉及一种供电电路与电子设备。
背景技术
在很多供电系统中,供电电压为高压12V以上,如果所有的电路都工作在12V电压域下,则每个电路都需要考虑高压耐压问题,则对应的版图面积和代价都比较大,传统的解决方案是得到5V的常规电压,把其它大部分电路都做在该电压域下,只有少数电路和管子需要考虑耐压问题。
图1为目前常规的做法,在高压下实现高压带隙基准,同时用该基准为后续LDO(Low Dropout Regulator,低压线性稳压器)提供参考电压。在该方案中,带隙基准和LDO电路都需要用到运算放大器和高压管,并且功能模块电路比较多,实现方式也比较传统,所以该方案功耗大,成本高。
发明内容
本申请的主要目的在于提供一种供电电路与电子设备,以解决现有技术中耐高压供电电路功耗大的问题。
为了实现上述目的,根据本申请的一个方面,提供了一种供电电路,该电路包括:偏置电流生成单元、基准电压生成单元和电压稳定单元,偏置电流生成单元包括第一镜像模块和第一电阻,在所述第一镜像模块和第一电阻的作用下生成偏置电流;基准电压生成单元与所述偏置电流生成单元电连接,包括第二镜像模块和第二电阻,在所述第二镜像模块的作用下将所述偏置电流镜像至所述第二电阻上形成基准电流,所述基准电流流过所述第二电阻形成基准电压;电压稳定单元与所述基准电压生成单元电连接,包括第三镜像模块和电压跟随模块,在所述第三镜像模块的作用下将所述偏置电流镜像至所述电压稳定单元中,输入至所述电压跟随模块中的所述基准电压,在所述电压跟随模块的作用下生成稳定的供电电压。
可选地,所述第一镜像模块包括第一P型场效应管、第三P型场效应管、第一N型场效应管和第二N型场效应管,所述第一P型场效应管与所述第三P型场效应管镜像对称,所述第一N型场效应管和所述第二N型场效应管镜像对称,所述第一P型场效应管与所述第二N型场效应管电连接,所述第三P型场效应管与所述第一N型场效应管电连接,所述第二N型场效应管与所述第一电阻电连接。
可选地,所述第二镜像模块包括第五P型场效应管,所述第五P型场效应管与所述第一P型场效应管镜像对称。
可选地,所述第三镜像模块包括第七P型场效应管和第四N型场效应管,所述第七P型场效应管和所述第四N型场效应管分别与所述电压跟随模块电连接,所述第七P型场效应管与所述第一P型场效应管镜像对称,所述第四N型场效应管与所述第二N型场效应管镜像对称。
可选地,所述电压跟随模块包括第三N型场效应管、第九P型场效应管和第十P型场效应管,所述第三N型场效应管的栅极和所述第十P型场效应管的栅极分别与所述第二电阻的高电压端电连接,所述第三N型场效应管的源极和所述第十P型场效应管的漏极分别与所述第四N型场效应管的漏极电连接,所述第三N型场效应管的漏极与所述第九P型场效应管的栅极电连接,所述第十P型场效应管的源极与所述第九P型场效应管的漏极电连接,所述第九P型场效应管的源极与所述第七P型场效应管的源极电连接。
可选地,所述供电电路还包括耐高压单元,所述耐高压单元分别与所述偏置电流生成单元、所述基准电压生成单元和所述电压稳定单元电连接。
可选地,所述供电电路还包括第三电阻,所述第三电阻为所述耐高压单元提供偏置电压。
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