[发明专利]像素、阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 202111512044.9 申请日: 2021-12-07
公开(公告)号: CN114114768B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 刘三泓 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 李佳桁
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 像素 阵列 显示装置
【权利要求书】:

1.一种像素,其特征在于,所述像素包括:

第一驱动晶体管,其中所述第一驱动晶体管的栅极连接至扫描线,以及所述第一驱动晶体管的源极或漏极的其中之一连接至数据线;

第一存储电容,其中所述第一存储电容的一端连接至第一公共电极线,以及所述第一存储电容的另一端连接至所述第一驱动晶体管的所述源极或所述漏极的另一个;

第二驱动晶体管,其中所述第二驱动晶体管的栅极连接至所述扫描线,以及所述第二驱动晶体管的源极或漏极的其中之一连接至所述数据线;

第二存储电容,其中所述第二存储电容的一端连接至第二公共电极线,以及所述第二存储电容的另一端连接至所述第二驱动晶体管的所述源极或所述漏极的另一个;以及

公共晶体管,其中所述公共晶体管的源极或漏极的其中之一连接至所述第一公共电极线,以及所述公共晶体管的所述源极或所述漏极的另一个连接至所述第二公共电极线,以及所述公共晶体管的栅极连接至所述扫描线或所述第一公共电极线或所述第二公共电极线。

2.如权利要求1所述的像素,其特征在于,所述像素还包括共享晶体管,所述共享晶体管的栅极连接至所述扫描线,所述共享晶体管的源极或漏极的其中之一连接至所述第二驱动晶体管的所述源极或所述漏极的其中之一,以及所述共享晶体管的所述源极或所述漏极的另一个连接至共享电极线。

3.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:

多条数据线,沿着垂直方向延伸;

多条扫描线和多条公共电极线,沿着水平方向延伸;以及

多个像素,以阵列排布,其中每一所述像素包括沿着所述水平方向排列的第一子像素和第二子像素,所述第一子像素和所述第二子像素连接至同一条数据线和同一条扫描线;

其中所述第一子像素包括第一存储电容,所述第二子像素包括第二存储电容,所述第一存储电容的一端连接至第一公共电极线,所述第二存储电容的一端连接至与所述第一公共电极线相邻的第二公共电极线;

其中每一所述像素还包括公共晶体管,所述公共晶体管的源极或漏极的其中之一连接至所述第一公共电极线,以及所述公共晶体管的所述源极或所述漏极的另一个连接至所述第二公共电极线。

4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述公共晶体管的栅极连接至所述扫描线。

5.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述公共晶体管的栅极连接至所述第一公共电极线或所述第二公共电极线。

6.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一子像素还包括第一驱动晶体管,所述第一驱动晶体管的栅极连接至所述扫描线,所述第一驱动晶体管的源极或漏极的其中之一连接至所述数据线,以及所述第一驱动晶体管的所述源极或所述漏极的另一个连接至所述第一存储电容的另一端;以及

所述第二子像素还包括第二驱动晶体管,所述第二驱动晶体管的栅极连接至所述扫描线,所述第二驱动晶体管的源极或漏极的其中之一连接至所述数据线,以及所述第二驱动晶体管的所述源极或所述漏极的另一个连接至所述第二存储电容的另一端。

7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括共享电极线,每一所述像素还包括共享晶体管,所述共享晶体管的栅极连接至所述扫描线,所述共享晶体管的源极或漏极的其中之一连接至所述第二驱动晶体管的所述源极或所述漏极的其中之一,以及所述共享晶体管的所述源极或所述漏极的另一个连接至所述共享电极线。

8.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:

如权利要求3-7任一项的所述阵列基板;

对置基板,相对于所述阵列基板,以及包括对置电极;以及

液晶层,设置在所述阵列基板和所述对置基板之间,其中所述第一子像素包括第一液晶电容,所述第二子像素包括第二液晶电容,所述第一液晶电容的一端和所述第二液晶电容的一端连接至所述对置电极。

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