[发明专利]NAND闪存的数据读操作电压施加方法及装置

权利要求书

1.一种NAND闪存的数据读操作电压施加方法，其特征在于，包括：

在对所述NAND闪存中的每一个页的读操作时，向第一字线施加读电压，向第二字线施加导通电压，向第三字线施加第一电压；

其中，所述第一字线为待读页对应的字线，所述第三字线为与所述第一字线相邻的多个字线，所述二字线为所述待读页对应的块中除了所述第一字线和所述第三字线之外的字线；所述第一电压为所述导通电压与第一补偿电压之和，所述第一补偿电压小于第二补偿电压，所述第二补偿电压为仅向与所述第一字线相邻的一个上层字线和一个下层字线进行电压补偿时所采用的补偿电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三字线包括与所述第一字线相邻的两个上层字线和两个下层字线，各个所述第三字线对应的所述第一补偿电压相等。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三字线包括与所述第一字线相邻的多个上层字线和/或多个下层字线，所述多个上层字线对应的所述第一补偿电压从上至下逐渐增大，所述多个下层字线对应的所述第一补偿电压从下至上逐渐增大。

4.一种NAND闪存的数据读操作电压施加装置，其特征在于，包括：

电压施加模块，用于在对所述NAND闪存中的每一个页的读操作时，向第一字线施加读电压，向第二字线施加导通电压，向第三字线施加第一电压；

其中，所述第一字线为待读页对应的字线，所述第三字线为与所述第一字线相邻的多个字线，所述二字线为所述待读页对应的块中除了所述第一字线和所述第三字线之外的字线；所述第一电压为所述导通电压与第一补偿电压之和，所述第一补偿电压小于第二补偿电压，所述第二补偿电压为仅向与所述第一字线相邻的一个上层字线和一个下层字线进行电压补偿时所采用的补偿电压。

5.根据权利要求4所示的装置，其特征在于，所述第三字线包括与所述第一字线相邻的两个上层字线和两个下层字线，各个所述第三字线对应的所述第一补偿电压相等。

6.根据权利要求4所示的装置，其特征在于，所述第三字线包括与所述第一字线相邻的多个上层字线和/或多个下层字线，所述多个上层字线对应的所述第一补偿电压从上至下逐渐增大，所述多个下层字线对应的所述第一补偿电压从下至上逐渐增大。

7.一种NAND闪存的数据读装置，其特征在于，包括：

至少一个存储器和至少一个处理器；

所述至少一个存储器，用于存储机器可读程序；

所述至少一个处理器，用于调用所述机器可读程序，执行权利要求1至3中任一所述的方法。

8.一种计算机可读介质，其特征在于，所述计算机可读介质上存储有计算机指令，所述计算机指令在被处理器执行时，使所述处理器执行权利要求1至3中任一所述的方法。