[发明专利]存储器件及其制备方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

衬底；

所述衬底上的存储单元阵列，包括多个存储单元，

其中，每个存储单元包括：

水平方向间隔排布的左叠层和右叠层，所述左叠层和右叠层均包括依次叠置于所述衬底上的下隔离层、PMOS层、第一NMOS层、上隔离层和第二NMOS层，所述PMOS层、第一NMOS层和第二NMOS层均包括竖直叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，所述沟道层相对于第一源/漏层和第二源/漏层横向凹入；

栅堆叠，在竖直方向上介于所述第一源/漏层与第二源/漏层之间，且设于所述沟道层的相对两侧以嵌入所述沟道层的横向凹入。

2.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

硬掩膜层，设置于所述第二NMOS层的第一源/漏层上。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述栅堆叠包括栅介质层和栅导体层，所述栅介质层包括功函数调节金属和设置于所述功函数调节金属上的栅导电金属。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其中，所述栅导体层包括p型栅导体层和n型栅导体层，其中：

所述p型栅导体层设置于所述PMOS层的第一源/漏层与第二源/漏层之间；

所述n型栅导体层设置于所述第一NMOS层的第一源/漏层与第二源/漏层之间，以及所述第二NMOS层的第一源/漏层与第二源/漏层之间。

5.根据权利要求3所述的存储器件，其中，所述第一源/漏层和第二源/漏层的横向外周部分凹入且凹入的部分填充有第三SiC层；和/或

所述栅导体层的横向外周部分凹入且凹入的部分填充有第三SiC层。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述第三SiC层的外侧壁与所述左叠层和右叠层在竖直方向上共面。

7.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

第五SiO₂层，形成于所述左叠层与右叠层之间的衬底上，所述第五SiO₂层的顶部高于所述PMOS层的第一源/漏层的底部且低于所述PMOS层的第一源/漏层的顶部。

8.根据权利要求7所述的存储器件，还包括：

第一金属层，形成于在所述左叠层和右叠层的纵向中部位置的所述第五SiO₂层上，所述第一金属层的顶部高于所述PMOS层的第一源/漏层的顶部且低于所述PMOS层的第二源/漏层的底部。

9.根据权利要求8所述的存储器件，还包括：

依次形成于所述第一金属层上的第六SiO₂层和第二金属层，

所述第六SiO₂层的顶部高于所述第一NMOS层的第一源/漏层的顶部且低于所述第一NMOS层的第二源/漏层的底部；

所述第二金属层的顶部高于所述第一NMOS层的第二源/漏层的底部且低于所述第一NMOS层的第二源/漏层的顶部。

10.根据权利要求8所述的存储器件，还包括：

第七SiO₂层，形成于除所述纵向中部位置之外的所述第五SiO₂层上，所述第七SiO₂层的顶部高于所述PMOS层的第一源/漏层的顶部且低于所述PMOS层的第二源/漏层的底部。

11.根据权利要求10所述的存储器件，还包括：

第三金属层，形成于所述第七SiO₂层上，所述第三金属层的顶部高于所述第一NMOS层的第一源/漏层的顶部且低于所述第一NMOS层的第二源/漏层的底部。