[发明专利]一种轨到轨跨导运放电路

权利要求书

1.一种轨到轨跨导运放电路，其特征在于：包含P型MOS管MP1、P型MOS管MP2、P型MOS管MP3、P型MOS管MP4、P型MOS管MP5、P型MOS管MP6、P型MOS管MP7、P型MOS管MP8、P型MOS管MP9、P型MOS管MP10、P型MOS管MP11、P型MOS管MP12、N型MOS管MN1、N型MOS管MN2、N型MOS管MN3、N型MOS管MN4、N型MOS管MN5、N型MOS管MN6、N型MOS管MN7、N型MOS管MN8、N型MOS管MN9、N型MOS管MN10、N型MOS管MN11、N型MOS管MN12、N型MOS管MN13、VDD电压端、VB电压端、VC电压端、VBIAS电压端、V1电压端、V2电压端、IOUT电流输出端，

其中，VBIAS电压端分别连接N型MOS管MN1的栅极、N型MOS管MN5的栅极，N型MOS管MN1的漏极连接N型MOS管MN2的源极，N型MOS管MN2的栅极连接VB电压端，N型MOS管MN2的漏极分别连接P型MOS管MP1的栅极、P型MOS管MP1的漏极和P型MOS管MP7的栅极，P型MOS管MP1的源极分别连接P型MOS管MP2的源极、P型MOS管MP3的源极、P型MOS管MP4的源极、P型MOS管MP5的源极、P型MOS管MP6的源极、P型MOS管MP7的源极、P型MOS管MP8的源极，P型MOS管MP2的漏极分别连接N型MOS管MN3的漏极、N型MOS管MN3的栅极、N型MOS管MN4的栅极，N型MOS管MN1的源极分别连接N型MOS管MN3的源极、N型MOS管MN4的源极、N型MOS管MN5的源极、N型MOS管MN10的源极、N型MOS管MN11的源极、N型MOS管MN12的源极、N型MOS管MN13的源极，N型MOS管MN5的漏极分别连接N型MOS管MN6的源极、N型MOS管MN7的源极，N型MOS管MN6的漏极连接N型MOS管MN8的源极，N型MOS管MN6的栅极连接V1电压端，N型MOS管MN8的栅极连接VB电压端，N型MOS管MN8的漏极分别连接P型MOS管MP2的栅极、P型MOS管MP3的栅极和P型MOS管MP3的漏极，N型MOS管MN7的栅极连接V2电压端，N型MOS管MN7的漏极连接N型MOS管MN9的源极，N型MOS管MN9的栅极连接VB电压端，N型MOS管MN9的漏极分别连接P型MOS管MP4的漏极、P型MOS管MP4的栅极、P型MOS管MP5的栅极，P型MOS管MP5的漏极分别连接N型MOS管MN4的漏极、IOUT电流输出端、P型MOS管MP6的漏极、N型MOS管MN10的漏极，P型MOS管MP6的栅极分别连接P型MOS管MP8的栅极、P型MOS管MP8的漏极、N型MOS管MN13漏极，N型MOS管MN13栅极分别连接N型MOS管MN12的栅极、N型MOS管MN12的漏极、P型MOS管MP12的漏极，P型MOS管MP12的栅极连接VC电压端，P型MOS管MP12的源极连接P型MOS管MP10的漏极，P型MOS管MP10的栅极连接V1电压端，P型MOS管MP10的源极分别连接P型MOS管MP7的漏极、P型MOS管MP9的源极，P型MOS管MP9的栅极连接V2电压端，P型MOS管MP9的漏极连接P型MOS管MP11的源极，P型MOS管MP11的栅极连接VC电压端，P型MOS管MP11的漏极分别连接N型MOS管MN10的栅极、N型MOS管MN11的栅极和N型MOS管MN11的漏极。

2.根据权利要求1所述的一种轨到轨跨导运放电路，其特征在于：所述VB电压端、VC电压端、VBIAS电压端为三个偏置电压，由N型MOS管MN1、N型MOS管MN2和P型MOS管MP1组成偏置电路。