[发明专利]一种轨到轨跨导运放电路在审
申请号: | 202111515992.8 | 申请日: | 2021-12-06 |
公开(公告)号: | CN113992168A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 徐沛;黄海峰 | 申请(专利权)人: | 镇江市高等专科学校 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03F1/42 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼然 |
地址: | 212028 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 轨到轨跨导运放 电路 | ||
本发明公开了一种轨到轨跨导运放电路,涉及电路技术领域,包含P型MOS管MP1、P型MOS管MP2、P型MOS管MP3、P型MOS管MP4、P型MOS管MP5、P型MOS管MP6、P型MOS管MP7、P型MOS管MP8、P型MOS管MP9、P型MOS管MP10、P型MOS管MP11、P型MOS管MP12、N型MOS管MN1、N型MOS管MN2、N型MOS管MN3、N型MOS管MN4、N型MOS管MN5、N型MOS管MN6、N型MOS管MN7、N型MOS管MN8、N型MOS管MN9、N型MOS管MN10、N型MOS管MN11、N型MOS管MN12、N型MOS管MN13,该轨到轨跨导运放是简单的双输入级结构,一个是N型输入对,一个是P型输入对,实现了输入轨到轨,两个输入对的输出以简单的方式结合在一个输出节点上,实现输出轨到轨。
技术领域
本发明涉及电路技术领域,尤其涉及一种轨到轨跨导运放电路。
背景技术
近年来,随着集成电路设计技术的不断发展,跨导放大器越来越多的应用在模拟集成电路设计领域,随着集成电路制造工艺的不断进步,电源电压不断降低,传统的多个MOS管串联而成的套筒式增益级结构,会明显压缩跨导放大器的电压摆幅,已经不适宜低电源电压下的应用,多个增益级的级联结构能够有效的实现高增益目的,同时,在低电源电压下,能够有效的保持较大的电压摆幅。但是,多个增益级的级联结构在补偿技术上存在较大的难度,在大多数多级跨导放大器的应用场合,为了使得跨导放大器获得较大的相位裕度,保证跨导放大器的稳定性,都会对跨导放大器进行频率补偿。
但是,传统的针对跨导放大器的频率补偿技术,仍然是通过极点分裂,通过在频率域内减小主极点频率来获得理想的相位裕度,但是减小的主极点会使得-3dB带宽降低,从而大大降低跨导放大器的单位增益带宽。同时,传统的补偿技术无法改变跨导放大器电压摆率较低的事实。或者,通过引入一个较高频率的左半平面零点和第一个非主极点进行抵消,来获得较大的相位裕度,同时利用三级夸导放大器结构,实现ClassAB输出级,提高跨导放大器电压摆率。
但是,第一非主极点通常频率较低,传统方法产生的左半平面零点的频率相对较高,这就需要将补偿电容的容值设计得很大,这样,一方面会导致版图面积增加,另一方面,同样会降低主极点频率,从而降低-3dB带宽和单位增益带宽,使得跨导放大器的电压摆率仍然较低,无法改变跨导放大器品质因素仍然不高的现状。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对背景技术的不足提供一种轨到轨跨导运放电路,该轨到轨跨导运放是简单的双输入级结构,一个是N型输入对,一个是P型输入对,实现了输入轨到轨,两个输入对的输出以简单的方式结合在一个输出节点上,实现输出轨到轨。
本发明为解决上述技术问题采用以下技术方案:
一种轨到轨跨导运放电路,包含P型MOS管MP1、P型MOS管MP2、P型MOS管MP3、P型MOS管MP4、P型MOS管MP5、P型MOS管MP6、P型MOS管MP7、P型MOS管MP8、P型MOS管MP9、P型MOS管MP10、P型MOS管MP11、P型MOS管MP12、N型MOS管MN1、N型MOS管MN2、N型MOS管MN3、N型MOS管MN4、N型MOS管MN5、N型MOS管MN6、N型MOS管MN7、N型MOS管MN8、N型MOS管MN9、N型MOS管MN10、N型MOS管MN11、N型MOS管MN12、N型MOS管MN13、VDD电压端、VB电压端、VC电压端、VBIAS电压端、V1电压端、V2电压端、IOUT电流输出端,
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