[发明专利]调谐经调制晶片的敏感度及确定用于经调制晶片的工艺窗的方法及装置在审
申请号: | 202111516089.3 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN114203571A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | D·C·欧兰;A·马修尔;K·吴;E·希夫林 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;G01N21/95;G01N21/88 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调谐 调制 晶片 敏感度 确定 用于 工艺 方法 装置 | ||
1.一种存储计算机程序产品的非暂时性计算机可读媒体,所述计算机程序产品具有可由处理器执行以执行方法的代码,所述方法包括:
从具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片识别以下各项中的每一者:
第一裸片,其具有相对于所述多个裸片的调制的低调制,
第二裸片,其具有相对于所述多个裸片的所述调制的中等调制,及
第三裸片,其具有相对于所述多个裸片的所述调制的高调制;
基于泰勒级数展开函数,从所述第一裸片估计一阶偏移且从所述第二裸片及所述第三裸片中的每一者估计单独二阶偏移;
对所述晶片执行检验,针对经受所述检验的所述晶片的每一裸片:
(a)使用从所述第一裸片估计的所述一阶偏移及从所述第二裸片估计的所述二阶偏移来动态地计算与所述裸片中的噪声水平对应的偏移,且
(b)将所述动态计算的偏移作为敏感度来应用于所述裸片。
2.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体,其中使用每一裸片在所述多个裸片中的预定义排名而识别所述第一裸片、所述第二裸片及所述第三裸片,每一裸片的所述排名随所述裸片的所述调制而变。
3.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述一阶偏移是非零的。
4.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体,其中利用以下函数来动态地计算与所述裸片对应的所述偏移:
偏移=(maximum(first order offset,second order offset_second die xNoise),
其中Noise为所述裸片中的所述噪声水平。
5.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体,其中对所述晶片的具有初级裸片类型的裸片执行所述检验。
6.根据权利要求5所述的非暂时性计算机可读媒体,其进一步包括对所述晶片的具有次级裸片类型的裸片执行所述晶片的额外检验,其中针对经受所述额外检验的所述晶片的每一其它裸片,所述额外检验:
(a)使用从所述第一裸片估计的所述一阶偏移及从所述第三裸片估计的所述二阶偏移来动态地计算与所述其它裸片中的噪声水平对应的其它偏移,且
(b)将所述其它偏移作为其它敏感度来应用于所述其它裸片。
7.根据权利要求6所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述额外检验由用户提示。
8.一种由处理器执行的方法,其包括:
从具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片识别以下各项中的每一者:
第一裸片,其具有相对于所述多个裸片的调制的低调制,
第二裸片,其具有相对于所述多个裸片的所述调制的中等调制,及
第三裸片,其具有相对于所述多个裸片的所述调制的高调制;
基于泰勒级数展开函数,从所述第一裸片估计一阶偏移且从所述第二裸片及所述第三裸片中的每一者估计单独二阶偏移;
对所述晶片执行检验,针对经受所述检验的所述晶片的每一裸片:
(a)使用从所述第一裸片估计的所述一阶偏移及从所述第二裸片估计的所述二阶偏移来动态地计算与所述裸片中的噪声水平对应的偏移,且
(b)将所述动态计算的偏移作为敏感度来应用于所述裸片。
9.一种系统,其包括:
处理器,其用于:
从具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片识别以下各项中的每一者:
第一裸片,其具有相对于所述多个裸片的调制的低调制,
第二裸片,其具有相对于所述多个裸片的所述调制的中等调制,及
第三裸片,其具有相对于所述多个裸片的所述调制的高调制;
基于泰勒级数展开函数,从所述第一裸片估计一阶偏移且从所述第二裸片及所述第三裸片中的每一者估计单独二阶偏移;
对所述晶片执行检验,针对经受所述检验的所述晶片的每一裸片:
(a)使用从所述第一裸片估计的所述一阶偏移及从所述第二裸片估计的所述二阶偏移来动态地计算与所述裸片中的噪声水平对应的偏移,且
(b)将所述动态计算的偏移作为敏感度来应用于所述裸片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造