[发明专利]调谐经调制晶片的敏感度及确定用于经调制晶片的工艺窗的方法及装置在审

专利信息
申请号: 202111516089.3 申请日: 2017-11-20
公开(公告)号: CN114203571A 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: D·C·欧兰;A·马修尔;K·吴;E·希夫林 申请(专利权)人: 科磊股份有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/67;G01N21/95;G01N21/88
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 刘丽楠
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 调谐 调制 晶片 敏感度 确定 用于 工艺 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种存储计算机程序产品的非暂时性计算机可读媒体,所述计算机程序产品具有可由处理器执行以执行方法的代码,所述方法包括:

从具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片识别以下各项中的每一者:

第一裸片,其具有相对于所述多个裸片的调制的低调制,

第二裸片,其具有相对于所述多个裸片的所述调制的中等调制,及

第三裸片,其具有相对于所述多个裸片的所述调制的高调制;

基于泰勒级数展开函数,从所述第一裸片估计一阶偏移且从所述第二裸片及所述第三裸片中的每一者估计单独二阶偏移;

对所述晶片执行检验,针对经受所述检验的所述晶片的每一裸片:

(a)使用从所述第一裸片估计的所述一阶偏移及从所述第二裸片估计的所述二阶偏移来动态地计算与所述裸片中的噪声水平对应的偏移,且

(b)将所述动态计算的偏移作为敏感度来应用于所述裸片。

2.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体,其中使用每一裸片在所述多个裸片中的预定义排名而识别所述第一裸片、所述第二裸片及所述第三裸片,每一裸片的所述排名随所述裸片的所述调制而变。

3.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述一阶偏移是非零的。

4.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体,其中利用以下函数来动态地计算与所述裸片对应的所述偏移:

偏移=(maximum(first order offset,second order offset_second die xNoise),

其中Noise为所述裸片中的所述噪声水平。

5.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体,其中对所述晶片的具有初级裸片类型的裸片执行所述检验。

6.根据权利要求5所述的非暂时性计算机可读媒体,其进一步包括对所述晶片的具有次级裸片类型的裸片执行所述晶片的额外检验,其中针对经受所述额外检验的所述晶片的每一其它裸片,所述额外检验:

(a)使用从所述第一裸片估计的所述一阶偏移及从所述第三裸片估计的所述二阶偏移来动态地计算与所述其它裸片中的噪声水平对应的其它偏移,且

(b)将所述其它偏移作为其它敏感度来应用于所述其它裸片。

7.根据权利要求6所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述额外检验由用户提示。

8.一种由处理器执行的方法,其包括:

从具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片识别以下各项中的每一者:

第一裸片,其具有相对于所述多个裸片的调制的低调制,

第二裸片,其具有相对于所述多个裸片的所述调制的中等调制,及

第三裸片,其具有相对于所述多个裸片的所述调制的高调制;

基于泰勒级数展开函数,从所述第一裸片估计一阶偏移且从所述第二裸片及所述第三裸片中的每一者估计单独二阶偏移;

对所述晶片执行检验,针对经受所述检验的所述晶片的每一裸片:

(a)使用从所述第一裸片估计的所述一阶偏移及从所述第二裸片估计的所述二阶偏移来动态地计算与所述裸片中的噪声水平对应的偏移,且

(b)将所述动态计算的偏移作为敏感度来应用于所述裸片。

9.一种系统,其包括:

处理器,其用于:

从具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片识别以下各项中的每一者:

第一裸片,其具有相对于所述多个裸片的调制的低调制,

第二裸片,其具有相对于所述多个裸片的所述调制的中等调制,及

第三裸片,其具有相对于所述多个裸片的所述调制的高调制;

基于泰勒级数展开函数,从所述第一裸片估计一阶偏移且从所述第二裸片及所述第三裸片中的每一者估计单独二阶偏移;

对所述晶片执行检验,针对经受所述检验的所述晶片的每一裸片:

(a)使用从所述第一裸片估计的所述一阶偏移及从所述第二裸片估计的所述二阶偏移来动态地计算与所述裸片中的噪声水平对应的偏移,且

(b)将所述动态计算的偏移作为敏感度来应用于所述裸片。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司,未经科磊股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111516089.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top