[发明专利]调谐经调制晶片的敏感度及确定用于经调制晶片的工艺窗的方法及装置

说明书

本申请实施例涉及用于调谐经调制晶片的敏感度及确定用于经调制晶片的工艺窗的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体。本发明提供一种用于调谐经调制晶片的敏感度及确定用于所述经调制晶片的工艺窗的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体。基于单组参数而动态地调谐所述经调制晶片的裸片的敏感度。此外，依据现有所确定的参数特定标称工艺窗而确定用于所述经调制晶片的所述工艺窗。

本申请是发明名称为“用于调谐经调制晶片的敏感度及确定用于经调制晶片的工艺窗的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体”，申请号为201780068639.5，申请日为2017年11月20日的发明专利申请的分案申请。

相关申请案

本申请案主张2016年11月21日提出申请的美国临时专利申请案第62/425,029 号的权益，所述美国临时专利申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及经调制晶片的检验，且更特定来说涉及经调制晶片的敏感度调谐及工艺窗表征。

背景技术

当前，可通过将晶片上的目标裸片与晶片上的参考裸片进行比较而检测晶片中的缺陷。检验系统通过出于比较目的而拍摄目标及参考裸片的图像来实现此。特定来说，检测缺陷通常涉及执行两个单独比较来产生两个单独结果，一个比较是在目标裸片与参考裸片中的一者之间，且另一比较是在目标裸片与参考裸片中的另一者之间。两个单独比较结果之间的任何类似性通常用作裸片中的缺陷的指示符。接着使用所检测缺陷作为用于考核晶片的设计(例如，确定系统地易于出现缺陷的设计区)且进一步用于表征由用以制作晶片的制造工具使用的工艺窗(例如，制造工具在设计规格内制作晶片的参数)的基础。

现有技术图1展示晶片的传统布局，所述晶片在列102中具有多个目标裸片，每一目标裸片是由参数(例如，聚焦(F)及曝光(E))值的不同组合调制(即，放大)的相同图案，且所述晶片进一步在位于目标裸片的列的两侧上的列104、106中具有多个参考裸片并且每一参考裸片是所述相同图案的标称(即，未经调制)版本。因此，针对列102 中的目标裸片中的任何特定一者，可使用来自列104的参考裸片及来自列106的参考裸片来检测特定目标裸片中的缺陷(参见框108)。尽管将参考裸片展示为邻近于目标裸片，但此未必总是如此。举例来说，在其它晶片配置中，用于任何特定目标裸片的参考裸片可为最接近但未必邻近于特定目标裸片的参考裸片。

遗憾地，与上文所描述缺陷检测相关的传统方法涉及低效且因此时间及资源密集型的技术。仅通过实例方式，用于工艺窗表征的当前方法(例如，工艺窗资格认证(PWQ) 方法)需要众多扫描迭代，包含针对每一裸片的单独测试，所述单独测试进一步涉及针对裸片的每一调制的单独扫描。

为了配合上文所提及的限制，当前方法进一步涉及针对每一调制单独地估计检验敏感度。此可使用初始阈值测定器(Finder)(ITF)来实现，但在任一情形中需要对每个经调制裸片进行初步扫描来评估经调制裸片的缺陷率且将敏感度指派给经调制裸片，使得基于所指派敏感度而执行对经调制裸片的后续检验扫描。

因此，需要解决与现有技术相关联的这些及/或其它问题。

发明内容

在一个实施例中，提供一种用于确定用于经调制晶片的工艺窗的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体。在使用中，针对具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片界定第一关心区区域。另外，基于所述第一关心区区域而执行所述晶片的第一缺陷扫描，且获得所述第一缺陷扫描的结果。此外，依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于属性空间，针对所述至少两个参数中的第一参数而确定第一标称工艺窗。此外，依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于所述属性空间，针对所述至少两个参数中的第二参数而确定第二标称工艺窗。另外，基于所述第一标称工艺窗及所述第二标称工艺窗而确定用于所述晶片的预测工艺窗。另外，基于最终关心区而在所述预测工艺窗内执行所述晶片的第二缺陷扫描，且获得所述第二缺陷扫描的结果。此外，依据所述第二缺陷扫描的所述结果，确定用于所述晶片的最终工艺窗。