[发明专利]电容器制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

形成电容器，包括：

形成堆栈，包括：

在基板的第一表面上形成第一导电层，所述第一导电层包括铝或铝基合金；

在所述第一导电层上形成第一电极；

在所述第一电极上形成第一介电层；以及

在所述第一介电层上形成第二电极；

通过化学等离子体蚀刻来蚀刻所述堆栈的第一部，所述化学等离子体蚀刻在到达所述第一导电层的第二表面之前被停住；以及

通过物理等离子体蚀刻来蚀刻所述堆栈的下部，所述物理等离子体蚀刻在所述第一导电层的所述第二表面处被停住。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述化学等离子体蚀刻包括氯基化学等离子体蚀刻步骤，随后是氟基化学等离子体蚀刻步骤。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述氟基化学等离子体蚀刻步骤和所述物理等离子体蚀刻步骤在蚀刻室中被实施。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括净化步骤，在所述净化步骤中，在所述氟基化学等离子体蚀刻步骤之后和所述物理等离子体蚀刻步骤之前，所述蚀刻室被净化。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述化学等离子体蚀刻包括氯基化学等离子体蚀刻步骤。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述化学等离子体蚀刻包括氟基化学等离子体蚀刻步骤。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述堆栈还包括第二导电层，所述第二导电层位于所述第二电极上并且沿着所述第二电极延伸。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述物理等离子体蚀刻是氩基物理等离子体蚀刻。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二导电层由铝或包括铝的合金制成。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电极由氮化钽制成。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述堆栈的所述下部包括所述第一电极的厚度的至少一部分。

12.一种设备，包括：

堆栈式电容器结构，包括：

基板，具有表面；

第一导电层，位于所述表面上并且沿着所述表面延伸；

第一电极，位于所述导电层上并且沿着所述导电层延伸；

介电层，位于所述第一电极上并且沿着所述第一电极延伸；

第二电极，位于所述介电层上并且沿着所述介电层延伸；

第二导电层，位于所述第二电极上并且沿着所述第二电极延伸；以及

金属焊盘，位于所述第二导电层上并且从所述第二导电层延伸。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述堆栈式电容器还包括侧壁，所述侧壁包括所述第一导电层、所述第一电极、所述介电层、所述第二电极和所述第二导电层的相应侧面，所述相应侧面基本上彼此共面。

14.根据权利要求13所述的设备，其中：

所述基板还包括与所述侧壁隔开的第一端；

所述第一导电层还包括与所述侧壁隔开的第二端；并且

所述侧壁位于所述第一导电层上。