[发明专利]电容器制造方法

说明书

本说明书涉及一种电容器制造方法，包括以下步骤：a)形成堆栈，该堆栈从基板的上表面起依次包括由铝或铝基合金制成的第一导电层、第一电极、第一介电层和第二电极；b)通过化学等离子体蚀刻对堆栈的上部进行蚀刻，所述化学等离子体蚀刻在第一导电层的上表面之前中断；和c)通过物理等离子体蚀刻对堆栈的下部进行蚀刻，所述物理等离子体蚀刻在第一导电层的上表面中断。

技术领域

本公开总体上涉及集成电路的制造，并且更具体地，涉及包括电容器的集成电路的制造，例如无源集成电路。

背景技术

提供了制造包括电容器的集成电路的各种方法。这些方法有各种缺点。希望有一种制造包括电容器的集成电路的方法，该方法克服了已知方法的全部或部分缺点。

发明内容

一个实施例提供了一种制造电容器的方法，包括以下连续步骤：

a.形成堆栈，从基板的上表面起依次包括由铝或基于铝的合金制成的第一导电层、第一电极、第一介电层和第二电极；

b.通过化学等离子体蚀刻来蚀刻堆栈的上部，所述化学等离子体蚀刻在第一导电层的上表面之前中断；和

c.通过物理等离子体蚀刻来蚀刻堆栈的下部，所述物理等离子体蚀刻在第一导电层的上表面上被中断。

根据一个实施例，在步骤b)中，所述化学等离子体蚀刻包括借助于氯基等离子体的化学等离子体蚀刻的第一步骤，随后是借助于氟基等离子体的化学等离子体蚀刻的第二步骤。

根据一个实施例，第二化学等离子体蚀刻步骤和物理等离子体蚀刻步骤在同一蚀刻室中实施，所述蚀刻室的净化步骤在两个步骤之间实施。

根据一个实施例，在步骤b)中，所述化学等离子体蚀刻包括借助于氯基等离子体的化学等离子体蚀刻的单个步骤。

根据一个实施例，在步骤b)中，所述化学等离子体蚀刻包括借助于氟基等离子体的化学等离子体蚀刻的单个步骤。

根据一个实施例，堆栈还包括涂覆第二电极的第二导电层。

根据一个实施例，在步骤c)中，物理等离子体蚀刻是借助于氩等离子体实施的。

根据一个实施例，第二导电层由铝或包括铝的合金制成。

根据一个实施例，第一电极由氮化钽制成。

根据一个实施例，堆栈的所述下部包括第一电极的厚度的至少一部分。

附图说明

上述特征和优点以及其他将在以下参照附图以说明而不是限制的方式给出的特定实施例的描述中详细描述，其中：

图1是根据实施例的电容器的示例的简化截面图；

图2是示出制造图1的电容器的方法的步骤的截面图；

图3是示出制造图1的电容器的方法的另一步骤的截面图；

图4是示出制造图1的电容器的方法的另一步骤的截面图；

图5是示出制造图1的电容器的方法的另一步骤的截面图；

图6是示出根据第一实施例的图1的电容器的制造方法的步骤的截面图；

图7是示出根据第一实施例的图1的电容器的制造方法的另一步骤的截面图；

图8是示出根据第一实施例的图1的电容器的制造方法的另一步骤的截面图；

图9是示出根据第一实施例的图1的电容器的制造方法的另一步骤的截面图；

图10是示出根据第二实施例的图1的电容器的制造方法的步骤的截面图；以及