[发明专利]芯片级封装发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

基板；

第一导电型半导体层，布置于所述基板上；

台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包含活性层及第二导电型半导体层；

欧姆反射层，布置于所述台面上，并电连接于所述第二导电型半导体层；

下部绝缘层，覆盖所述台面及欧姆反射层，并包含使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；

第一焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，并通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；

第二焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，并通过所述第二开口部电连接于所述欧姆反射层；以及

上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层及所述第二焊盘金属层，并包含使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，

其中，所述上部绝缘层的第二开口部与所述下部绝缘层的第二开口部隔开。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，

从所述下部绝缘层的第二开口部到所述上部绝缘层的第二开口部的最短距离大于从所述下部绝缘层的第二开口部到所述第二焊盘金属层的边缘部位的最短距离。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述下部绝缘层的第一开口部沿所述台面周围使所述第一导电型半导体层暴露，

所述第一焊盘金属层具有：外部接触部，沿所述台面周围接触于所述第一导电型半导体层。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其中，

所述台面包括使所述第一导电型半导体层暴露的凹陷部，

所述下部绝缘层的第一开口部在所述凹陷部内进一步使所述第一导电型半导体层暴露，

所述第一焊盘金属层还包括：内部接触部，在所述凹陷部内接触于所述第一导电型半导体层。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其中，

所述内部接触部与所述外部接触部连接。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述下部绝缘层的第二开口部具有在与所述上部绝缘层的第二开口部相向的侧凸出的形状，所述上部绝缘层的第二开口部具有对应于所述下部绝缘层的第二开口部的凸出的形状而凹入的形状。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其中，

通过所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部暴露的所述第一焊盘金属层及第二焊盘金属层是焊料直接焊接的焊接焊盘。

8.如权利要求1所述的发光二极管，还包括：

第一凸起焊盘及第二凸起焊盘，分别覆盖通过所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部暴露的所述第一焊盘金属层及第二焊盘金属层。

9.如权利要求8所述的发光二极管，其中，

所述第一凸起焊盘及第二凸起焊盘分别覆盖所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部而密封。

10.如权利要求9所述的发光二极管，其中，

所述第二凸起焊盘还覆盖所述下部绝缘层的第二开口部上部的上部绝缘层。