[发明专利]芯片级封装发光二极管

说明书

提供一种芯片级封装发光二极管。在根据本实施例的发光二极管中，使焊盘金属层暴露的开口部与使形成于台面上的欧姆反射层暴露的下部绝缘层的开口部隔开。因此，能够防止焊料，特别是Sn扩散而污染欧姆反射层。

本申请是申请日为2017年8月31日、申请号为201780051117.4、题为“芯片级封装发光二极管”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，尤其涉及一种芯片级封装形态的发光二极管。

背景技术

通常，诸如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)等III族元素的氮化物热稳定性良好且具有直接跃迁型能带(band)结构，因此近来作为可见光及紫外线区域的光源用物质而备受瞩目。尤其，利用氮化铟镓(InGaN)的蓝色发光二极管及绿色发光二极管应用于大规模自然色平板显示装置、信号灯、室内照明、高密度光源、高分辨率输出系统及光通信等多种应用领域。

最近，对于发光二极管正在进行关于在芯片级执行封装工艺的芯片级封装形态的发光二极管的研究。由于这种发光二极管的尺寸小于一般的封装件，并且无需单独执行封装工艺，因此能够进一步简化工艺，从而能够节约时间及成本。

芯片级封装形态的发光二极管大体具有倒装芯片形状的电极结构，因此散热特性良好。然而，这样的发光二极管通常制造为具有倒装芯片形状的电极结构，因此具有为了防止倒装焊接时使用的焊料扩散，而使发光二极管的结构相当复杂的问题。然而，焊料(特别是，Sn)可能扩散到发光二极管内部，从而污染欧姆反射层并导致发光二极管的不良。

因此，需要提供一种能够简化发光二极管的结构并且可靠的发光二极管的努力。

发明内容

技术问题

本发明要解决的课题在于提供如下的一种发光二极管：无需复杂地变更发光二极管的结构也能够有效地防止焊料等焊接材料的扩散，从而能够提高可靠性。

本发明要解决的又一课题在于提供一种能够在有限的设计范围内有效地防止焊料的扩散的发光二极管。

本发明要解决的又一课题在于提供一种能够防止焊料在包括多个发光单元的发光二极管中扩散的发光二极管。

技术方案

根据本发明的一实施例的一种发光二极管包括：基板；第一导电型半导体层，布置于所述基板上；台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包含活性层及第二导电型半导体层；欧姆反射层，布置于所述台面上，并电连接于所述第二导电型半导体层；下部绝缘层，覆盖所述台面及欧姆反射层，并包含使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；第一焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，并通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；第二焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，并通过所述第二开口部电连接于所述欧姆反射层；以及，上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层及所述第二焊盘金属层，并包含使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，其中，所述上部绝缘层的第二开口部与所述下部绝缘层的第二开口部隔开。

由于上部绝缘层的第二开口部与下部绝缘层的第二开口部隔开，因此能够阻断焊料向欧姆反射层扩散。

进而，从所述下部绝缘层的第二开口部到所述上部绝缘层的第二开口部的最短距离可以大于从所述下部绝缘层的第二开口部到所述第二焊盘金属层的边缘部位的最短距离。虽然上部绝缘层及下部绝缘层阻断焊料扩散，但是焊料可能沿下部绝缘层与第二焊盘金属层的交界到达下部绝缘层的第二开口部。因此，通过在有限的设计范围内使下部绝缘层的第二开口部远离上部绝缘层的第二开口部隔开，能够增加焊料的扩散路径，从而能够防止焊料扩散导致的不良发生。