[发明专利]一种硫属有机半导体的制备方法有效
| 申请号： | 202111522448.6 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114369101B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 胡鹏;蔡明杰 | 申请（专利权）人： | 西北大学 |
| 主分类号： | C07D495/06 | 分类号： | C07D495/06;C07D339/04;C07C319/02;C07C321/26 |
| 代理公司： | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人： | 高雪霞 |
| 地址： | 710069 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有机半导体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硫属有机半导体的制备方法，其特征在于：将硫源和芳香族化合物混合均匀后置于石英管内一端，对石英管抽真空并密封；然后将密封的石英管置于双区管式炉中，其中石英管盛有原料的一端置于高温区，另一端置于低温区，高温区温度设置为200～280℃，低温区温度比高温区温度低20～60℃，加热反应1～6小时后退火1～6小时，得到硫属有机半导体；
所述硫源选自升华硫、二苯二硫、噻吩中任意一种，所述芳香族化合物选自并五苯、并四苯、苝、蒽、菲中任意一种，芳香族化合物对应的硫属有机半导体为六硫并五苯、四硫并四苯、二硫苝、四硫蒽、四硫菲。
2.根据权利要求1所述的硫属有机半导体的制备方法，其特征在于：所述硫源和芳香族化合物的质量比为1:0.6～1。
3.根据权利要求1所述的硫属有机半导体的制备方法，其特征在于：高温度温度设置为240～280℃。
4.根据权利要求3所述的硫属有机半导体的制备方法，其特征在于：所述低温区温度比高温区温度低20～40℃。
5.根据权利要求3所述的硫属有机半导体的制备方法，其特征在于：加热反应2～4小时。
6.根据权利要求3所述的硫属有机半导体的制备方法，其特征在于：退火1～2小时。
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