[发明专利]晶圆键合结构和晶圆键合方法

权利要求书

1.一种晶圆键合结构，包括相互键合的第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆为待减薄晶圆，其特征在于，所述第一晶圆朝向所述第二晶圆一侧的边缘区域设置有削边结构，所述削边结构的横截面呈非直角形。

2.根据权利要求1所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述削边结构包括第一削边段和第二削边段；

所述第一削边段与所述第二晶圆相对间隔设置；

所述第二削边段自所述第一削边段的内侧端部向所述第二晶圆的方向弧形延伸至与所述第二晶圆抵接。

3.根据权利要求1所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述削边结构包括第一削边段、第二削边段以及连接所述第一削边段和所述第二削边段的弧形段；

所述第一削边段与所述第二晶圆相对间隔设置，所述第二削边段与所述第一削边段垂直设置。

4.根据权利要求1所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述削边结构包括第一削边段和第二削边段；

所述第一削边段与所述第二晶圆相对间隔设置；

所述第二削边段自所述第一削边段的内侧端部向所述第二晶圆的方向倾斜延伸。

5.根据权利要求1至4任一项所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述削边结构的宽度范围为0.2mm～3mm；和/或，

所述削边结构的深度大于所述第一晶圆预设的目标厚度。

6.一种晶圆键合方法，其特征在于，所述方法包括：

提供待键合的第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆为待减薄晶圆，所述第一晶圆的第一表面的边缘区域设置有削边结构，所述削边结构的横截面呈非直角形；

将所述第一晶圆的第一表面与所述第二晶圆进行键合；

对键合完成的所述第一晶圆的第二表面进行减薄至预设目标厚度。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述削边结构包括第一削边段和第二削边段；

所述第一削边段与所述第二晶圆相对间隔设置；

所述削边结构包括第一削边段和第二削边段；

所述第一削边段与所述第二晶圆相对间隔设置；

所述第二削边段自所述第一削边段的内侧端部向所述第二晶圆的方向弧形延伸至与所述第二晶圆抵接。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述削边结构包括第一削边段、第二削边段以及连接所述第一削边段和所述第二削边段的弧形段；

所述第一削边段与所述第二晶圆相对间隔设置，所述第二削边段与所述第一削边段垂直设置。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述削边结构包括第一削边段和第二削边段；

所述第一削边段与所述第二晶圆相对间隔设置；

所述第二削边段自所述第一削边段的内侧端部向所述第二晶圆的方向倾斜延伸。

10.根据权利要求7至9任一项所述的方法，其特征在于，所述削边结构的宽度范围为0.2mm～3mm；和/或，

所述削边结构的深度大于所述第一晶圆预设的目标厚度。