[发明专利]晶圆键合结构和晶圆键合方法在审

申请号：	202111523806.5	申请日：	2021-12-14
公开（公告）号：	CN114242679A	公开（公告）日：	2022-03-25
发明（设计）人：	马力;项敏;李红雷;郑子企	申请（专利权）人：	通富微电子股份有限公司
主分类号：	H01L23/488	分类号：	H01L23/488;H01L21/60;H01L29/06
代理公司：	北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226	代理人：	李明;赵吉阳
地址：	226004 ***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	晶圆键合结构方法
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【说明书】：

本公开提供一种晶圆键合结构和晶圆键合方法。晶圆键合结构包括相互键合的第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆为待减薄晶圆，所述第一晶圆朝向所述第二晶圆一侧的边缘区域设置有削边结构，所述削边结构的横截面呈非直角形。本公开的晶圆键合结构，通过在待减薄的晶圆的边缘区域设置非直角形的削边结构，在键合以后的减薄过程中，可以有效的减少由于减薄设备(如研磨盘等)产生的压力所导致的崩边、裂纹或裂片等现象的发生，从而可以有效降低晶圆在减薄过程中发生裂片的风险，提高晶圆的制作良率，降低制作成本。

技术领域

本公开属于半导体封装技术领域，具体涉及一种晶圆键合结构和晶圆键合方法。

背景技术

在先进封装技术领域，常用到临时键合、混合键合和熔融键合技术。如图1所示，在键合工艺中，两片晶圆键合在一起，由于标准的晶圆边缘呈钝状弧形，第一晶圆1和第二晶圆2键合处的边缘会出现宽度约200um的悬空部分3。当从其中一片晶圆的背面，例如第一晶圆1的背面对其厚度进行减薄时，减薄到一定程度时，如图2所示，在减薄机磨轮压力扭力的作用下，会导致晶圆边缘产生隐裂纹4，或崩边甚至是裂片。

由于晶圆制造的成本很高，因此，要尽量减少晶圆损伤裂片的风险，尤其是在超薄晶圆的三维堆栈技术中，每一层晶圆的良率都需要严格控制。

发明内容

本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种晶圆键合结构和晶圆键合方法。

本公开一方面，提供一种晶圆键合结构，包括相互键合的第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆为待减薄晶圆，所述第一晶圆朝向所述第二晶圆一侧的边缘区域设置有削边结构，所述削边结构的横截面呈非直角形。

在一些实施方式中，所述削边结构包括第一削边段和第二削边段；

所述第一削边段与所述第二晶圆相对间隔设置；

所述第二削边段自所述第一削边段的内侧端部向所述第二晶圆的方向弧形延伸至与所述第二晶圆抵接。

在一些实施方式中，所述削边结构包括第一削边段、第二削边段以及连接所述第一削边段和所述第二削边段的弧形段；

所述第一削边段与所述第二晶圆相对间隔设置，所述第二削边段与所述第一削边段垂直设置。

在一些实施方式中，所述削边结构包括第一削边段和第二削边段；

所述第一削边段与所述第二晶圆相对间隔设置；

所述第二削边段自所述第一削边段的内侧端部向所述第二晶圆的方向倾斜延伸。