[发明专利]关于矩阵型图形的检测方法

说明书

本发明公开了一种关于矩阵型图形的检测方法，其包括以下步骤：步骤一，将矩阵型图形拆分为多个同等分图形；步骤二，扫描电子显微镜对多个同等分图形进行定点拍照；步骤三，基于步骤二拍照的图形进行测量；步骤四，将步骤三的测量结果收集起来，进行分析，最终输出检测结果。本发明可以量测管芯区域，能检测异常区域的图形，有效监控与表征晶圆重复性矩阵图形的变化及差异性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种关于矩阵型图形的检测方法。

背景技术

在集成电路制造领域，随着工艺尺寸的不断缩小，图形的复杂度和精度要求越来越高，尤其是高密度矩阵型图形，其线宽不均匀和差异对良率影响很大，而当前在线只能量测test key(test key是指半导体工艺厂在wafer加工中为了监测工艺而加入在wafer固定位置的测试单元)图形，无法量测管芯区域，不能检测异常区域的图形。

发明内容

针对上述情况，为了克服现有技术的缺陷，本发明提供一种关于矩阵型图形的检测方法。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤一，将矩阵型图形拆分为多个同等分图形；

步骤二，扫描电子显微镜对多个同等分图形进行定点拍照；

步骤三，基于步骤二拍照的图形进行测量；

步骤四，将步骤三的测量结果收集起来，进行分析，最终输出检测结果。

优选地，所述步骤三把步骤二拍照的矩阵图形线做标记。

优选地，所述步骤四将步骤三的测量结果收集起来做成表格和柱状图。

优选地，所述步骤四按照设定管控标准分析。

优选地，所述扫描电子显微镜进行不同次数的拍照，收集不同分段图形照片。

本发明的积极进步效果在于：本发明可以量测管芯区域，能检测异常区域的图形，有效监控与表征晶圆重复性矩阵图形的变化及差异性。

附图说明

图1为本发明关于矩阵型图形的检测方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

如图1所示，本发明关于矩阵型图形的检测方法包括以下步骤：

步骤一，将矩阵型图形拆分为多个同等分图形；

步骤二，扫描电子显微镜(SEM)对多个同等分图形进行定点拍照；

步骤三，基于步骤二拍照的图形进行测量；首先把步骤二拍照的矩阵图形线做标记，从左到右依次为C1、C2、C3……Cn-1、Cn，其中n为大于2的整数；量测C1和C2临近图形线间距，沿Y轴方向等比例分为若干份量测间距；以此类推，沿着X轴方向，分别量测C2和C3间距，直至Cn-1和Cn量测完成；

步骤四，将步骤三的测量结果收集起来，进行分析，此分析数据会呈现正态分布，最终输出检测结果。

步骤四将步骤三的测量结果收集起来做成表格和柱状图，方便显示和查看。

步骤四按照设定管控标准分析，即可发现异常矩阵图形。

扫描电子显微镜进行不同次数的拍照，收集不同分段图形照片，且提高准确性。

本发明可以量测管芯区域，能检测异常区域的图形，有效监控与表征晶圆重复性矩阵图形的变化及差异性。

上述具体实施方式为本发明的优选实施例，并不能对本发明进行限定，其他的任何未背离本发明的技术方案而所做的改变或其它等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。