[发明专利]半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板；

在所述基板上的外围电路层；

在所述外围电路层上的半导体层；

在所述半导体层上的源极导电图案；

在所述源极导电图案上的第一堆叠，所述第一堆叠包括交替堆叠的第一绝缘层和第一栅电极；

在所述第一堆叠上的第二堆叠，所述第二堆叠包括交替堆叠的第二绝缘层和第二栅电极；

在所述第二堆叠上的停止物层，所述停止物层包括第一绝缘材料；

在所述停止物层上的模具层，所述模具层包括相对于所述停止物层具有蚀刻选择性的第二绝缘材料；

单元沟道结构，延伸穿过所述源极导电图案、所述第一堆叠、所述第二堆叠、所述停止物层和所述模具层，所述单元沟道结构的侧表面接触所述停止物层；

覆盖层，在所述模具层和所述单元沟道结构上；

字线分隔结构，延伸穿过所述源极导电图案、所述第一堆叠、所述第二堆叠、所述停止物层、所述模具层和所述覆盖层，所述字线分隔结构包括朝向所述停止物层突出的突起；以及

位线接触插塞，延伸穿过所述覆盖层，所述位线接触插塞连接到所述单元沟道结构，

其中所述停止物层的内部侧表面：

从所述第二堆叠的内部侧表面偏移，并且

与所述字线分隔结构接触，所述第二堆叠的所述内部侧表面与所述字线分隔结构接触。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述停止物层的所述内部侧表面从所述第二绝缘层的相应内部侧表面和所述第二栅电极的相应内部侧表面偏移。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述停止物层的厚度小于每个所述第一栅电极的厚度并小于每个所述第二栅电极的厚度。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述突起接触所述停止物层的所述内部侧表面、所述第二堆叠的上表面和所述模具层的底表面。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述模具层包括硅氧化物，以及

所述停止物层包括硅氮化物。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述停止物层的面积等于或小于所述第二栅电极中的最上面一个的面积。

7.一种半导体器件，包括：

基板；

在所述基板上的栅极堆叠结构，所述栅极堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和栅电极；

在所述栅极堆叠结构上的停止物层；

在所述停止物层上的模具层；

单元沟道结构，延伸穿过所述栅极堆叠结构、所述停止物层和所述模具层，所述单元沟道结构的侧表面接触所述停止物层；

在所述单元沟道结构上的覆盖层；

字线分隔结构，延伸穿过所述栅极堆叠结构、所述停止物层、所述模具层和所述覆盖层；以及

延伸穿过所述覆盖层的位线接触插塞，所述位线接触插塞接触所述单元沟道结构，

其中所述停止物层的内部侧表面：

从所述栅电极的内部侧表面偏移，并且

与所述字线分隔结构接触，所述栅电极的所述内部侧表面与所述字线分隔结构接触。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述字线分隔结构包括朝向所述停止物层水平地延伸的突起。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述突起接触所述停止物层的所述内部侧表面、所述模具层的底表面以及所述绝缘层中的最上面一个的上表面。

10.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述停止物层的厚度小于每个所述栅电极的厚度。

11.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述停止物层包括硅氮化物。

12.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述停止物层的面积等于或小于所述栅电极中的最上面一个的面积。