[发明专利]半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统

说明书

本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。一种半导体器件包括：在基板上的外围电路层；在基板上的下堆叠和上堆叠；停止物层，在上堆叠上并包括绝缘材料；在停止物层上的上模具层；延伸穿过下堆叠、上堆叠、停止物层和上模具层的单元沟道结构，单元沟道结构的侧表面接触停止物层；第一覆盖层和第二覆盖层；字线分隔结构，包括朝向停止物层突出的突起；以及连接到单元沟道结构的位线接触插塞，其中停止物层的内部侧表面从上堆叠的内部侧表面偏移并与字线分隔结构接触。

技术领域

实施方式涉及一种包括停止物层的半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。

背景技术

在需要存储数据的电子系统中，可以使用能够存储大量数据的半导体芯片。

发明内容

实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：基板；在基板上的外围电路层；在外围电路层上的水平半导体层；在水平半导体层上的下源极导电图案和上源极导电图案；在上源极导电图案上的下堆叠，下堆叠包括交替堆叠的下绝缘层和下栅电极；在下堆叠上的上堆叠，上堆叠包括交替堆叠的上绝缘层和上栅电极；在上堆叠上的停止物层，停止物层包括第一绝缘材料；在停止物层上的上模具层，上模具层包括相对于停止物层具有蚀刻选择性的第二绝缘材料；单元沟道结构，延伸穿过下源极导电图案、上源极导电图案、下堆叠、上堆叠、停止物层和上模具层，单元沟道结构的侧表面接触停止物层；在上模具层和单元沟道结构上的第一覆盖层和第二覆盖层；字线分隔结构，延伸穿过下源极导电图案、上源极导电图案、下堆叠、上堆叠、停止物层、上模具层、第一覆盖层和第二覆盖层，字线分隔结构包括朝向停止物层突出的突起；以及延伸穿过第一覆盖层和第二覆盖层的位线接触插塞，位线接触插塞连接到单元沟道结构，其中停止物层的内部侧表面从上堆叠的内部侧表面偏移，并与字线分隔结构接触。

实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：基板；在基板上的栅极堆叠结构，栅极堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和栅电极；在栅极堆叠结构上的停止物层；在停止物层上的上模具层；单元沟道结构，延伸穿过栅极堆叠结构、停止物层和上模具层，单元沟道结构的侧表面接触停止物层；在单元沟道结构上的覆盖层；字线分隔结构，延伸穿过栅极堆叠结构、停止物层、上模具层和覆盖层；以及延伸穿过覆盖层的位线接触插塞，位线接触插塞接触单元沟道结构，其中停止物层的内部侧表面从栅电极中的最上面一个的内部侧表面偏移，并与字线分隔结构接触。

实施方式可以通过提供一种电子系统来实现，该电子系统包括主基板、在主基板上的半导体器件、以及在主基板上的电连接到该半导体器件的控制器，其中该半导体器件包括：基板；在基板上的栅极堆叠结构，栅极堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和栅电极；在栅极堆叠结构上的停止物层；在停止物层上的上模具层；单元沟道结构，延伸穿过栅极堆叠结构、停止物层和上模具层，单元沟道结构的侧表面接触停止物层；在单元沟道结构上的覆盖层；字线分隔结构，延伸穿过栅极堆叠结构、停止物层、上模具层和覆盖层；以及延伸穿过覆盖层的位线接触插塞，位线接触插塞接触单元沟道结构，其中停止物层的内部侧表面从栅电极中的最上面一个的内部侧表面偏移，并与字线分隔结构接触。

附图说明

通过参照附图详细描述示范性实施方式，特征将对于本领域技术人员变得明显，附图中：

图1是根据本公开的一示范性实施方式的半导体器件的布局图。

图2是沿着图1的线I-I'截取的剖视图。

图3是沿着图1的线II-II'截取的剖视图。

图4是图2中的部分A的放大剖视图。

图5是图2中的部分B的放大剖视图。

图6是图2中的部分C的放大剖视图。

图7是沿着图1中的线I-I'截取的可选的剖视图。

图8至图37是根据本公开的一示范性实施方式的制造半导体器件的方法中的阶段的剖视图。