[发明专利]基板处理系统和微粒去除方法

权利要求书

1.一种基板处理系统，具备：

真空搬送模块；

基板处理模块，其构成为与所述真空搬送模块连接，在减压环境下处理基板；

加载互锁模块，其与所述真空搬送模块连接；

至少1个基板冷却台，其被配置于所述加载互锁模块内；

至少1个基板搬送机器人，其被配置于所述真空搬送模块内，所述基板搬送机器人包括至少1个末端执行器；以及

控制部，其构成为控制微粒去除动作，

其中，所述微粒去除动作具有以下工序：

工序(a)、将载置于所述至少1个基板冷却台上的至少1个基板假片冷却至第一温度，所述第一温度为5℃～20℃；以及

工序(b)、在将冷却后的至少1个基板假片载置于所述至少1个末端执行器上的状态下，将所述至少1个末端执行器在所述真空搬送模块内或所述基板处理模块内的多个位置中的任一位置维持第一期间，所述第一期间为30秒以上。

2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，

所述第一温度为10℃～15℃。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理系统，其特征在于，

所述第一期间为60秒以上。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，

交替地重复多次所述工序(a)和所述工序(b)。

5.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，

交替地重复5次以上所述工序(a)和所述工序(b)。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，

所述微粒去除动作具有在所述工序(a)之前将所述基板处理模块或所述真空搬送模块加热3小时以上的工序。

7.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，

所述至少1个基板冷却台具有第一基板冷却台和第二基板冷却台，

所述至少1个末端执行器具有第一末端执行器和第二末端执行器，

其中，所述微粒去除动作具有以下工序：

工序(a)、将分别载置于所述第一基板冷却台和所述第二基板冷却台上的第一基板假片和第二基板假片冷却至所述第一温度；以及

工序(b)、在将冷却后的第一基板假片和第二基板假片分别载置于所述第一末端执行器和所述第二末端执行器上的状态下，将所述第一末端执行器在所述多个位置中的第一位置维持所述第一期间，将所述第二末端执行器在所述多个位置中的第二位置维持所述第一期间。

8.一种基板处理系统，具备：

真空搬送模块；

基板处理模块，其构成为与所述真空搬送模块连接，在减压环境下处理基板；

基板台，其被配置于所述基板处理模块，包括多个升降销，所述多个升降销构成为在纵方向上在上侧位置与下侧位置之间移动；

加载互锁模块，其与所述真空搬送模块连接；

至少1个基板冷却台，其被配置于所述加载互锁模块内；

至少1个基板搬送机器人，其被配置于所述真空搬送模块内，所述基板搬送机器人包括至少1个末端执行器；以及

控制部，其构成为控制微粒去除动作，

其中，所述微粒去除动作具有以下工序：

工序(a)、将载置于所述至少1个基板冷却台上的至少1个基板假片冷却至第一温度，所述第一温度为5℃～20℃；

工序(b)、将冷却后的至少1个基板假片载置于位于所述上侧位置的所述多个升降销上；以及

工序(c)、将所述冷却后的至少1个基板假片被载置于位于所述上侧位置的所述多个升降销上的状态维持第一期间，所述第一期间为30秒以上。