[发明专利]基板处理系统和微粒去除方法

说明书

本发明提供一种基板处理系统和微粒去除方法，不在设为微粒的去除对象的收容室设置冷却机构地从收容室去除微粒的原因要素。微粒去除动作具有以下工序：工序(a)、将载置于至少1个基板冷却台上的至少1个基板假片冷却至第一温度，第一温度为5℃～20℃；以及工序(b)、在将冷却后的至少1个基板假片载置于至少1个末端执行器上的状态下，将至少1个末端执行器在真空搬送模块内或基板处理模块内的多个位置中的任一位置维持第一期间，第一期间为30秒以上。

技术领域

以下的公开涉及一种基板处理系统和微粒去除方法。

背景技术

专利文献1公开了如下技术：以覆盖腔室内的载置台的上表面的方式来配置内置有珀耳帖元件等冷却吸附部的保护构件，一边利用冷却吸附部来冷却保护构件，一边进行抽真空来捕集微粒。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-103443号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种不在设为微粒的去除对象的收容室设置冷却机构地从收容室去除微粒的原因要素的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式的基板处理系统具备真空搬送模块、基板处理模块、加载互锁模块、基板冷却台、基板搬送机器人以及控制部。基板处理模块构成为与真空搬送模块连接，在减压环境下处理基板。加载互锁模块与真空搬送模块连接。基板冷却台为至少1个，被配置于加载互锁模块内。基板搬送机器人为至少1个，被配置于真空搬送模块内，且包括至少1个末端执行器。控制部构成为控制微粒去除动作。微粒去除动作具有以下工序：工序(a)、将载置于至少1个基板冷却台上的至少1个基板假片冷却至第一温度，第一温度为5℃～20℃；以及工序(b)、在将冷却后的至少1个基板假片载置于至少1个末端执行器上的状态下，将至少1个末端执行器在真空搬送模块内或基板处理模块内的多个位置中的任一位置维持第一期间，第一期间为30秒以上。

发明的效果

根据本公开，起到如下效果：能够不在设为微粒的去除对象的收容室设置冷却机构地从收容室去除微粒的原因要素。

附图说明

图1是示出实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。

图2是示出实施方式所涉及的加载互锁模块LLM的概要结构的图。

图3是示出实施方式所涉及的微粒去除方法的流程的流程图。

图4是说明实施方式所涉及的微粒去除的流程的图。

图5是示出实施方式所涉及的冷却搬送处理的流程的流程图。

图6A是说明实施方式所涉及的冷却搬送处理中的基板W的搬送的流程的图。

图6B是说明实施方式所涉及的冷却搬送处理中的基板W的搬送的流程的图。

图6C是说明实施方式所涉及的冷却搬送处理中的基板W的搬送的流程的图。

图6D是说明实施方式所涉及的冷却搬送处理中的基板W的搬送的流程的图。

图7A是示出微粒的原因要素的去除结果的一例的图。

图7B是示出微粒的原因要素的去除结果的一例的图。

图8A是示出微粒的原因要素的去除结果的一例的图。

图8B是示出微粒的原因要素的去除结果的一例的图。

图9是示出微粒的原因要素的去除结果的一例的图。

图10是示出实施方式所涉及的工艺模块PM的概要结构的图。