[发明专利]检测单晶炉同轴度的方法、装置、设备及计算机存储介质在审
申请号: | 202111530487.0 | 申请日: | 2021-12-14 |
公开(公告)号: | CN114202533A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 李昊 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | G06T7/00 | 分类号: | G06T7/00;G06T7/60 |
代理公司: | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人: | 李斌栋;沈寒酉 |
地址: | 710100 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 单晶炉 同轴 方法 装置 设备 计算机 存储 介质 | ||
1.一种检测单晶炉同轴度的方法,其特征在于,所述方法包括:
从CCD相机采集到的对中盘图像中捕获所述对中盘圆周方向上刻度线之间的第一像素间距离;
基于所述第一像素间距离与对应的所述对中盘圆周方向上刻度线之间的实际距离,确定所述实际距离与所述第一像素间距离之间的对应关系;
获取所述对中盘第一像素中心与激光束照射至所述对中盘上的光斑对应的第二像素中心之间的第二像素间距离;
基于所述第二像素间距离与所述对应关系,确定重锤中心与炉体中心之间的第二实际距离;其中,所述重锤中心与所述炉体中心之间的第二实际距离用于表征单晶炉的同轴度偏差值。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于所述第一像素间距离与对应的所述对中盘圆周方向上刻度线之间的实际距离,确定所述实际距离与所述第一像素间距离之间的对应关系,包括:
基于捕获的所述对中盘圆周方向上相邻刻度线之间的第一像素间距离l与所述相邻刻度线之间的实际距离L,按照下式获取所述实际距离L与所述第一像素间距离l之间的对应关系:
K=L/l (1)。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取所述对中盘第一像素中心与激光束照射至所述对中盘上的光斑对应的第二像素中心之间的第二像素间距离,包括:
从所述对中盘图像中捕获所述对中盘的第一像素中心点的坐标;
从所述对中盘图像中获取激光束照射至所述对中盘上的光斑对应的第二像素中心点的坐标;
根据所述第一像素中心点的坐标与所述第二像素中心点的坐标,计算获得所述第一像素中心点与所述第二像素中心点之间的第二像素间距离d。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述获取激光束照射至所述对中盘上的光斑对应的第二像素中心点的坐标,包括:
当所述重锤静止时,所述对中盘图像上所述光斑的位置坐标用于表征所述光斑对应的第二像素中心点的坐标。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述获取激光束照射至所述对中盘上的光斑对应的第二像素中心点的坐标,包括:
当所述重锤摆动时,捕获所述对中盘图像上n个所述光斑的位置坐标;其中,n≥3;
根据n个所述光斑的位置坐标,获取n个所述光斑所在的拟合圆形区域中心点的坐标;
基于M组所述拟合圆形区域中心点的坐标,获取所述第二像素中心点的坐标;其中,M≥1。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于所述第二像素间距离与所述对应关系,确定重锤中心与炉体中心之间的第二实际距离,包括:
基于所述第二像素间距离d与所述对应关系K,按照下式获取所述重锤中心与所述炉体中心之间的第二实际距离:
D=Kd (2)。
7.一种检测单晶炉同轴度的装置,其特征在于,所述装置包括:捕获部分、第一确定部分、获取部分和第二确定部分;其中,
所述捕获部分,经配置为从CCD相机采集到的对中盘图像中捕获所述对中盘圆周方向上刻度线之间的第一像素间距离;
所述第一确定部分,经配置为基于所述第一像素间距离与对应的所述对中盘圆周方向上刻度线之间的实际距离,确定所述实际距离与所述第一像素间距离之间的对应关系;
所述获取部分,经配置为获取所述对中盘第一像素中心与激光束照射至所述对中盘上的光斑对应的第二像素中心之间的第二像素间距离;
所述第二确定部分,经配置为基于所述第二像素间距离与所述对应关系,确定重锤中心与炉体中心之间的第二实际距离;其中,所述重锤中心与所述炉体中心之间的第二实际距离用于表征单晶炉的同轴度偏差值。
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