[发明专利]一种显示面板的制备方法在审
| 申请号： | 202111531929.3 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114267708A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 汪国杰;瞿红 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 王胜男 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 显示 面板 制备 方法 | ||
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一阵列基板；
制备第一电极于阵列基板上，所述第一电极阵列排布于所述阵列基板上，相邻所述第一电极在第一方向上形成第一间隔，相邻所述第一电极在第二方向上形成第二间隔；
整层覆盖负性材料于所述第一电极以及所述阵列基板上；
对整层覆盖的所述负性材料进行曝光、显影，所述第一间隔内的负性材料形成具有疏水性的第一像素定义层，所述第二间隔内的负性材料形成具有疏水性的第二像素定义层；
对所述第一像素定义层再次曝光，使所述第一像素定义层具有亲水性；
制备发光层于所述第一电极上。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二像素定义层的厚度大于所述第一像素定义层的厚度。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一像素定义层的厚度范围为0.2um-0.5um，所述第二像素定义层的厚度范围为1um到2um。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一像素定义层的厚度大于所述第一电极的厚度。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述发光层的厚度小于所述第二像素定义层的厚度。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述第一像素定义层再次曝光这一步骤中，采用UV光照对所述第一像素定义层再次曝光。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一像素定义层的厚度小于所述发光层的厚度。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对整层覆盖的所述负性材料进行曝光、显影这一步骤中，采用半色调掩模版对整层覆盖的所述负性材料进行曝光、显影。
9.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，相邻的所述所述第二像素定义层之间形成有打印槽，沿着所述打印槽的延伸方向能够连续打印发光材料以形成发光层。
10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，制备发光层的步骤后还包括：
制备第二电极于所述发光层和所述第二像素定义层上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
