[发明专利]一种显示面板的制备方法在审
申请号: | 202111531929.3 | 申请日: | 2021-12-14 |
公开(公告)号: | CN114267708A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 汪国杰;瞿红 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王胜男 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制备 方法 | ||
本发明的实施例公开了一种显示面板的制备方法,包括以下步骤:制备第一电极阵列排布于阵列基板上,相邻所述第一电极在第一方向上形成第一间隔,相邻所述第一电极在第二方向上形成第二间隔;整层覆盖负性材料于所述第一电极以及所述阵列基板上;对整层覆盖的所述负性材料进行曝光、显影,所述第一间隔内的负性材料形成具有疏水性的第一像素定义层,所述第二间隔内的负性材料形成具有疏水性的第二像素定义层;对所述第一像素定义层再次曝光,使所述第一像素定义层具有亲水性。根据本发明,只需要涂布一层负性材料,并进行曝光显影再曝光便可得到两层像素定义层,节省了材料、设备的成本和时间成本,提高了制作效率。
技术领域
本发明涉及显示面板领域,特别涉及一种显示面板的制备方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)器件具有自发光、视角光、对比度高、响应速度快、轻薄等特点,已成为显示技术的主要趋势。相对于采用精细掩模版及真空蒸镀OLED器件来说,喷墨打印技术因其精准的对位,无需Fine Metal Mask,且其材料利用率可以达到100%而备受关注,成为未来大尺寸OLED器件制作的主流趋势。
有机发光二极管像素排列通常由多个像素点构成,每个像素点包含红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素,R、G、B子像素依次循环排列,组成矩阵。这种传统的像素排列结构存在以下问题:(1)在打印过程中,由于某个打印头喷嘴不稳定,导致此喷嘴参与打印的像素内墨滴的体积偏大或偏小,导致产品显示时,出现一条条亮线或暗线,产生线性mura;(2)只有与子像素所对应的喷嘴进行喷墨,而处于子像素与子像素之间的喷嘴不喷墨水,导致喷嘴利用率低,打印循环次数多,打印时间长,先后打印的墨水挥发干燥情况不同,产生干燥mura。
为了解决上述技术问题,现有技术采取的技术方案是将所有红色子像素连接起来,所有绿色子像素连接起来,蓝色子像素连接起来,形成线性像素行,如此,打印到像素中的墨水就可以互相流通,最终将体积平均化,进而解决上述技术问题。
但是,为了独立发光,需要在横纵方向分别制作第一像素定义层和第二像素定义层。因为第一像素定义层为亲水性材料,第二像素定义层为疏水性材料,所以,需要分别制作两次涂胶曝光显影制程,步骤繁琐,材料费用高,设备数量增加,使得费用成本和时间成本都增加。
有鉴于此,实有必要开发一种显示面板的制备方法,用以解决制作两层像素定义层花费的金钱成本和时间成本增加的问题。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板的制备方法,用以解决制作两层像素定义层花费的金钱成本和时间成本增加的问题。
为了解决上述技术问题,本发明的实施例公开了如下技术方案:
提供了一种显示面板的制备方法,包括以下步骤:提供一阵列基板;制备第一电极于阵列基板上,所述第一电极阵列排布于所述阵列基板上,相邻所述第一电极在第一方向上形成第一间隔,相邻所述第一电极在第二方向上形成第二间隔;整层覆盖负性材料于所述第一电极以及所述阵列基板上;对整层覆盖的所述负性材料进行曝光、显影,所述第一间隔内的负性材料形成具有疏水性的第一像素定义层,所述第二间隔内的负性材料形成具有疏水性的第二像素定义层;对所述第一像素定义层再次曝光,使所述第一像素定义层具有亲水性;制备发光层于所述第一电极上。
除了上述公开的一个或多个特征之外,或者作为替代,所述第二像素定义层的厚度大于所述第一像素定义层的厚度。
除了上述公开的一个或多个特征之外,或者作为替代,所述第一像素定义层的厚度范围为0.2um-0.5um,所述第二像素定义层的厚度范围为1um到2um。
除了上述公开的一个或多个特征之外,或者作为替代,所述第一像素定义层的厚度大于所述第一电极的厚度。
除了上述公开的一个或多个特征之外,或者作为替代,所述发光层的厚度小于所述所述第二像素定义层的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的