[发明专利]一种双向硅控整流器及电路结构

权利要求书

1.一种双向硅控整流器，其特征在于，所述双向硅控整流器包括：

第一阱区和第二阱区；

位于所述第一阱区和所述第二阱区之间的第三阱区；

位于所述第一阱区内部的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区为环形，所述第一阱区中的第一目标阱区被包裹在所述第一掺杂区的中空区域内；

位于所述第一阱区外部的第一金属元件，且所述第一金属元件的设置位置与所述第一掺杂区的中空区域相对；所述第一金属元件与所述第一目标阱区形成肖特基结；

位于所述第二阱区内部的第三掺杂区和第四掺杂区，所述第三掺杂区为环形，所述第二阱区中的第二目标阱区被包裹在所述第三掺杂区的中空区域内；

位于所述第二阱区外部的第二金属元件，且所述第二金属元件的设置位置与所述第三掺杂区的中空区域相对；所述第二金属元件与所述第二目标阱区形成肖特基结；

其中，所述第一阱区和所述第二阱区均为第一传导型态，所述第三阱区、所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第三掺杂区和所述第四掺杂区均为第二传导型态。

2.根据权利要求1所述的双向硅控整流器，其特征在于，所述第一金属元件与所述第一掺杂区的中空区域同轴，且所述第一金属元件在所述第一阱区的第一外表面上的正投影位于所述中空区域在所述第一外表面上的正投影内。

3.根据权利要求2所述的双向硅控整流器，其特征在于，所述第二金属元件与所述第二掺杂区的中空区域同轴，且所述第二金属元件在所述第二阱区的第二外表面上的正投影位于所述中空区域在所述第二外表面上的正投影内。

4.根据权利要求1-3中任一所述的双向硅控整流器，其特征在于，所述双向硅控整流器还包括：

位于所述第一阱区的第五掺杂区，以及位于所述第二阱区的第六掺杂区，其中，所述第五掺杂区和所述第六掺杂区均为第一传导型态。

5.根据权利要求1-3中任一所述的双向硅控整流器，其特征在于，所述第一金属元件和第二掺杂区连接至一第一电极；和/或，所述第二金属元件和所述第四掺杂区连接至一第二电极。

6.根据权利要求1-3中任一所述的双向硅控整流器，其特征在于，所述第一传导型态为N型，和/或，所述第二传导型态为P型。

7.一种电路结构，其特征在于，所述电路结构包括：第一目标电极、第二目标电极以及权利要求1至6中任一项所述的双向硅控整流器，所述双向硅控整流器耦接在所述第一目标电极和第二目标电极之间，所述第一目标电极为阳极并耦接至一信号输入端，而所述第二目标电极为阴极并耦接至一接地端。

8.根据权利要求7所述的电路结构，其特征在于，所述电路结构还包括：静电释放电路；

所述静电释放电路的第一端耦接至所述第二目标电极，第二端耦接至一接电源端。