[发明专利]一种双向硅控整流器及电路结构

说明书

本发明公开了一种双向硅控整流器及电路结构，涉及集成电路技术领域，主要目的提供双向硅控整流器的维持电压；主要技术方案包括：第一阱区、第二阱区、位于第一阱区和第二阱区之间的第三阱区；位于第一阱区内部的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区为环形，第一阱区中的第一目标阱区被包裹在第一掺杂区的中空区域内；位于第一阱区外部的第一金属元件，且第一金属元件的设置位置与第一掺杂区的中空区域相对；位于第二阱区内部的第三掺杂区和第四掺杂区，第三掺杂区为环形，第二阱区中的第二目标阱区被包裹在第三掺杂区的中空区域内；位于第二阱区外部的第二金属元件，且第二金属元件的设置位置与第三掺杂区的中空区域相对。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种双向硅控整流器及电路结构。

背景技术

集成电路中通常设置有静电防护元件，以避免静电放电损害集成电路的电路元件。双向硅控整流器(Bi-directional silicon-controlled rectifier,BISCR)是当前应用广泛的静电防护元件之一。

双向硅控整流器通常具有较低的维持电压(Holding voltage)，其虽然可以在较低的维持电压下，承受与其相连的电路元件的静电放电能量，对电路元件进行静电防护。但是，却也导致双向硅控整流器在正常电路运作下，容易产生闩锁现象，从而导致集成电路无法运作，乃至损坏。

因此，如何设计出一种具有较高维持电压的双向硅控整流器，成为本领域中亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提出了一种双向硅控整流器及电路结构，主要目的在于提高双向硅控整流器的维持电压。

第一方面，本发明提供了一种双向硅控整流器，该双向硅控整流器包括：

第一阱区和第二阱区；

位于所述第一阱区和所述第二阱区之间的第三阱区；

位于所述第一阱区内部的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区为环形，所述第一阱区中的第一目标阱区被包裹在所述第一掺杂区的中空区域内；

位于所述第一阱区外部的第一金属元件，且所述第一金属元件的设置位置与所述第一掺杂区的中空区域相对；

位于所述第二阱区内部的第三掺杂区和第四掺杂区，所述第三掺杂区为环形，所述第二阱区中的第二目标阱区被包裹在所述第三掺杂区的中空区域内；

位于所述第二阱区外部的第二金属元件，且所述第二金属元件的设置位置与所述第三掺杂区的中空区域相对；

其中，所述第一阱区和所述第二阱区均为第一传导型态，所述第三阱区、所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第三掺杂区和所述第四掺杂区均为第二传导型态。

第二方面，本发明提供了一种电路结构，该电路结构包括：

所述电路结构包括：第一目标电极、第二目标电极以及第一方面所述的双向硅控整流器，所述双向硅控整流器耦接在所述第一目标电极和第二目标电极之间，所述第一目标电极为阳极并耦接至一信号输入端，而所述第二目标电极为阴极并耦接至一接地端。