[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

模制结构，包括交替地堆叠在第一基底上的模制绝缘膜和栅电极；

沟道结构，穿透模制结构并且与栅电极相交；

块分离区域，沿与第一基底的上表面平行的第一方向延伸并且切割模制结构；

第一坝区域，在与第一基底的上表面平行的平面中具有闭合环并且切割模制结构；

第二坝区域，在第一方向上与第一坝区域间隔开，在与第一基底的上表面平行的平面中具有闭合环并且切割模制结构；

垫绝缘膜，位于第一坝区域和第二坝区域中，垫绝缘膜与模制绝缘膜交替地堆叠并且包括与模制绝缘膜的材料不同的材料；以及

贯穿过孔，位于第一坝区域中，贯穿过孔穿过第一基底、模制绝缘膜和垫绝缘膜，

其中，第二坝区域没有贯穿过孔。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，至少一个栅电极和至少一个垫绝缘膜距第一基底的上表面的距离相等。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括覆盖位于第一基底上的模制结构的层间绝缘膜。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，第一坝区域的在第一方向上的第一长度大于第二坝区域的在第一方向上的第二长度。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，第二长度是第一长度的0.1倍至0.9倍。

6.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，第一长度是2μm至5μm。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，每个模制绝缘膜包括氧化硅膜，并且其中，每个垫绝缘膜包括氮化硅膜。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，第一坝区域和第二坝区域均包括与垫绝缘膜的材料不同的材料。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，每个垫绝缘膜包括氮化硅膜，并且第一坝区域和第二坝区域均包括氧化硅膜。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述半导体存储器装置还包括：

第二基底，包括面对第一基底的下表面的上表面；以及

外围电路元件，位于第二基底的上表面上，

其中，贯穿过孔连接到外围电路元件。

11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，贯穿过孔将栅电极中的一个栅电极与外围电路元件连接。

12.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

位线，在模制结构上沿与第一基底的上表面平行并且与第一方向相交的第二方向延伸，其中，位线连接到沟道结构。

13.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

第一基底，包括在第一方向上布置的单元阵列区域和延伸区域；

模制结构，包括交替地堆叠在第一基底的上表面上的模制绝缘膜和栅电极；

沟道结构，位于单元阵列区域中，沟道结构穿过模制结构并且与栅电极相交；

第一坝区域，位于延伸区域中，第一坝区域在与第一基底的上表面平行的平面中具有闭合环并且切割模制结构；

第二坝区域，位于延伸区域中，第二坝区域在第一方向上与第一坝区域间隔开，在与第一基底的上表面平行的平面中具有闭合环并且切割模制结构；

垫绝缘膜，位于第一坝区域和第二坝区域中，垫绝缘膜与模制绝缘膜交替地堆叠并且包括与模制绝缘膜的材料不同的材料；

第二基底，包括面对第一基底的下表面的上表面；

外围电路元件，位于第二基底的上表面上；以及

第一贯穿过孔，位于第一坝区域中，第一贯穿过孔穿过第一基底、模制绝缘膜和垫绝缘膜，并且将栅电极中的一个栅电极与外围电路元件连接。