[发明专利]半导体存储器装置

说明书

公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括：模制结构，包括交替地堆叠在第一基底上的模制绝缘膜和栅电极；沟道结构，穿透模制结构并且与栅电极相交；块分离区域，沿与第一基底的上表面平行的第一方向延伸并且切割模制结构；第一坝区域和第二坝区域，彼此间隔开，在平面图中均具有闭合环并且均切割模制结构；垫绝缘膜，位于第一坝区域和第二坝区域中，与模制绝缘膜交替地堆叠，并且包括与模制绝缘膜的材料不同的材料；以及贯穿过孔，穿过第一基底、模制绝缘膜和垫绝缘膜，位于位于第一坝区域中但是不位于第二坝区域中。

技术领域

本公开涉及半导体存储器装置、用于制造半导体存储器装置的方法以及包括半导体存储器装置的电子系统。更具体地，本公开涉及包括贯穿过孔的半导体存储器装置、用于制造半导体存储器装置的方法以及包括半导体存储器装置的电子系统。

背景技术

为了满足消费者期望的性能特性和低价格，人们对提高半导体存储器装置的集成度感兴趣。这部分是因为集成度是决定产品价格的重要因素，如此特别期望增大密度。

对于二维或平面的半导体存储器装置，集成度主要由单位存储器单元所占据的面积决定，因此受到精细图案形成技术水平的极大影响。然而，由于图案的小型化所需的设备可能非常昂贵，所以二维半导体存储器装置的集成度正在增大，但是受到成本和制造因素的限制。结果，已经提出了包括三维设置的存储器单元的三维半导体存储器装置。

发明内容

本公开的方面提供了其中产品可靠性得到改善的半导体存储器装置。

本公开的方面还提供了用于制造其中产品可靠性得到改善的半导体存储器装置的方法。

本公开的方面还提供了其中产品可靠性得到改善的电子系统。

根据本公开的一些方面，提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：模制结构，包括交替地堆叠在第一基底上的模制绝缘膜和栅电极；沟道结构，穿过模制结构并且与栅电极相交；块分离区域，沿与第一基底的上表面平行的第一方向延伸并且切割模制结构；第一坝区域，在与第一基底的上表面平行的平面中具有闭合环并且切割模制结构；第二坝区域，在第一方向上与第一坝区域间隔开，在与第一基底的上表面平行的平面中具有闭合环，并且切割模制结构；垫绝缘膜，位于第一坝区域和第二坝区域中，与模制绝缘膜交替地堆叠并且包括与模制绝缘膜的材料不同的材料；以及贯穿过孔，位于第一坝区域中，穿过第一基底、模制绝缘膜和垫绝缘膜，其中，贯穿过孔设置在第一坝区域中而不设置在第二坝区域中。

根据本公开的一些方面，提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：第一基底，包括沿着第一方向布置的单元阵列区域和延伸区域；模制结构，包括交替地堆叠在第一基底的上表面上的模制绝缘膜和栅电极；沟道结构，位于单元阵列区域中，穿过模制结构并且与栅电极相交；第一坝区域，位于延伸区域中，在延伸区域中在与第一基底的上表面平行的平面中具有闭合环并且切割模制结构；第二坝区域，位于延伸区域中，在第一方向上与第一坝区域间隔开，在与第一基底的上表面平行的平面中具有闭合环并且切割模制结构；垫隔离膜，位于第一坝区域和第二坝区域中，与模制绝缘膜交替地堆叠并且包括与模制绝缘膜的材料不同的材料；第二基底，包括面对第一基底的下表面的上表面；外围电路元件，位于第二基底的上表面上；以及第一贯穿过孔，位于第一坝区域中，穿过第一基底、模制绝缘膜和垫绝缘膜，并且将栅电极中的一个栅电极与外围电路元件连接。

根据本公开的一些方面，提供了一种用于制造半导体存储器装置的方法，所述方法包括：形成包括交替地堆叠在第一基底上的模制绝缘膜和牺牲膜的初步模制结构；形成穿透初步模制结构并且与牺牲膜相交的沟道结构；形成沿与第一基底的上表面平行的第一方向延伸并且切割初步模制结构的块分离区域；形成第一坝区域，第一坝区域在与第一基底的上表面平行的平面上具有闭合环并且切割初步模制结构；形成第二坝区域，第二坝区域在第一方向上与第一坝区域间隔开，在与第一基底的上表面平行的平面中具有闭合环并且切割初步模制结构；利用块分离区域用栅电极替换第一坝区域和第二坝区域外部的牺牲膜；以及在第一坝区域中形成穿过第一基底、模制绝缘膜和牺牲膜的贯穿过孔。