[发明专利]阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法在审
申请号: | 202111535165.5 | 申请日: | 2021-12-15 |
公开(公告)号: | CN114361181A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 田苗苗;马志丽;朱正勇;何国冰 | 申请(专利权)人: | 维信诺科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
地址: | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 制作方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,具有显示区和位于所述显示区周侧的非显示区,所述阵列基板包括:
衬底;
第一信号线,位于所述非显示区内,所述第一信号线包括层叠设置的第一分部和第二分部,所述第二分部沿宽度方向超出所述第一分部的外边缘的宽度不小于20μm;
阻挡层,设置在所述第一分部背离所述显示区的一侧并覆盖所述第一分部的至少部分外边缘,且至少部分所述阻挡层背离所述衬底的一侧与所述第二分部贴合设置。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一分部具有朝向衬底的第一表面、朝向第二分部的第二表面和连接所述第一表面和所述第二表面的侧表面,所述侧表面相对所述第一表面倾斜设置,至少部分所述侧表面与所述阻挡层相接触。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二分部具有一体设置的层叠部和延伸部,所述层叠部在所述衬底上的正投影和所述第一分部在所述衬底上的正投影重叠设置。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阻挡层包括沿所述第一信号线的宽度方向连续分布的第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述层叠部与第一分部之间;
其中,在所述第一信号线的宽度方向上,所述第一部分的长度小于第二部分的长度;
优选的,在所述第一信号线的宽度方向上,所述第一部分的长度不小于2.5μm。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在背离所述衬底的方向上,所述阻挡层超出所述第一分部的高度小于1.3μm。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括层叠设置于所述第二分部背离所述第一分部一侧的保护膜层;
在背离所述衬底的方向上,所述阻挡层超出所述第一分部的高度不大于所述保护膜层的厚度。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二分部设置有若干开口,所述开口在所述衬底的正投影与所述阻挡层在所述衬底上的正投影至少部分交叠;
优先的,若干所述开口沿所述第一分部的外边缘的依次间隔分布。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极,所述源极和/或漏极与所述第一分部同层设置;
所述薄膜晶体管还包括平坦化层,所述平坦化层位于所述第一信号线背离显示区一侧的部分形成所述阻挡层。
9.一种显示装置,其特征在于,包括:
如权利要求1至7任一项所述的阵列基板;以及
发光器件层,位于所述阵列基板的一侧,所述发光器件层包括多个发光单元,所述第一信号线与所述发光单元的阴极电连接。
10.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供衬底,所述衬底具有第一区和位于所述第一区周侧的第二区;
在所述衬底上图案化形成第一导电层,所述第一导电层包括位于第二区的第一分部;
在所述第一导电层上图案化形成平坦化层,所述平坦化层包括位于所述第二区的阻挡层,所述阻挡层覆盖所述第一分部背离所述第一区的至少部分外边缘;
在所述平坦化层上图案化形成第二导电层,所述第二导电层包括位于所述第二区内的第二分部,所述第二分部层叠设置在第一分部上并与至少部分所述阻挡层贴合设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的