[发明专利]一种微纳米复合结构的制作方法在审
申请号: | 202111535460.0 | 申请日: | 2021-12-15 |
公开(公告)号: | CN114347623A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 陈艳;冯鸿涛;高顺畅 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院 |
主分类号: | B32B33/00 | 分类号: | B32B33/00;B32B3/08;B32B3/24;B32B3/30;B32B7/12;B32B27/06;B32B27/28;B32B27/30;B32B27/32;B32B27/36 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 李珊珊 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 复合 结构 制作方法 | ||
本发明提供一种微纳米复合结构的制作方法,包括如下步骤:提供第一支撑件,在第一支撑件上形成塑形层,塑形层的形状可变;在塑形层上层叠设置分隔层,分隔层形成有第一通孔;在分隔层上层叠设置纳米模板,纳米模板包括第一基层和多个纳米柱,且纳米模板与分隔层相接触,多个纳米柱的尺寸小于第一通孔的尺寸;在纳米模板上层叠设置第二支撑件,挤压第一支撑件和/或第二支撑件,以使得塑形层至少部分自第一通孔进入分隔层,且与第一基层接触,纳米柱在塑形层上形成第一凹槽,以使塑形层形成微纳米复合结构,本制作方法通过挤压一次形成微纳米复合结构,其加工简单,难度系数小,适合应用在工业生产中。
技术领域
本发明涉及微纳米复合结构技术领域,尤其涉及一种微纳米复合结构的制作方法。
背景技术
现有的微纳米复合结构加工方法分为四类:光刻技术、激光加工、分子自组装和电子束/离子束刻蚀技术。其中,光刻技术采用接触式曝光,最大分辨率为1μm,加工面积最大,难以在微米结构上形成纳米结构复合;激光加工过程分为两次曝光,第一次先加工出微米结构,再在微米结构上曝光成型纳米结构,其加工步骤复杂,需精确控制曝光参数;分子自组装虽能做到一步成型微纳米复合结构,但加工过程受多种因素的制约,不仅对材料选择要求苛刻,还需精确控制分子自组装的条件,且制备的微结构的重复性不高;电子束/离子束刻蚀技术是目前分辨率最高的一种曝光手段,加工不需要掩膜,自动化程度高,但是其加工速度慢,加工成本高,不适合大批量生产加工。
综上所述,以上加工方式虽然可以制作微纳米复合结构,但存在加工复杂、难度系数大的问题,因此导致微纳米复合结构应用至工业化生产中受到严重限制。
发明内容
本发明的目的是提供一种微纳米复合结构的制作方法,可以在材料表面制作微纳米复合结构,本方法加工简单、难度系数小,适合应用在工业生产中。
为实现本发明的目的,本发明提供了如下的技术方案:
本发明提供一种微纳米复合结构的制作方法,包括如下步骤:提供第一支撑件,在所述第一支撑件上形成塑形层,所述塑形层的形状可变;在所述塑形层上层叠设置分隔层,所述分隔层形成有第一通孔;在所述分隔层上层叠设置纳米模板,所述纳米模板包括第一基层和多个纳米柱,多个所述纳米柱形成在所述第一基层朝向所述分隔层的表面,且所述纳米模板与所述分隔层相接触,所述纳米柱的尺寸小于所述第一通孔的尺寸,且在所述第一通孔正对的位置至少设有一个所述纳米柱;在所述纳米模板上层叠设置第二支撑件,挤压所述第一支撑件和/或所述第二支撑件,以使得所述塑形层至少部分自所述第一通孔进入所述分隔层,且与所述第一基层接触,所述纳米柱在所述塑形层上形成第一凹槽,以使所述塑形层形成微纳米复合结构。
一种实施方式中,所述分隔层的制作步骤,包括:提供第三支撑件,在所述第三支撑件上层叠设置第一倒模,所述第一倒模包括第二基层和微米柱,所述微米柱形成在所述第二基层朝向所述第三支撑件的表面,且所述微米柱与所述第三支撑件相接触;在所述第三支撑件和所述第二基层之间填充第一材料,并使所述第一材料包围所述微米柱;固化所述第一材料,并分离所述第三支撑件和所述第一倒模,从而使所述第一材料形成所述分隔层,且所述分隔层上形成有与所述微米柱互补的所述第一通孔。
一种实施方式中,所述第一倒模的制作步骤,包括:提供第一模板,所述第一模板的表面形成有第二凹槽;在所述第一模板上覆盖第二材料,且所述第二材料填充所述第二凹槽;固化所述第二材料,并分离所述第一模板,从而使所述第二材料形成所述第一倒模,且所述第一倒模的表面形成有与所述第二凹槽互补的所述微米柱。
一种实施方式中,所述纳米模板的制作步骤,包括:提供第二模板,所述第二模板的表面形成有第三凹槽;在所述第二模板上覆盖第三材料,且所述第三材料至少部分进入所述第三凹槽;固化所述第三材料,并分离所述第二模板,从而使所述第三材料形成所述纳米模板,且所述纳米模板的表面形成有与所述第三凹槽互补的所述纳米柱。
一种实施方式中,所述分隔层与所述纳米柱相接触。
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