[发明专利]一种声表面滤波器封装结构

权利要求书

1.一种声表面滤波器封装结构，其特征在于，所述封装结构包括基体；所述基体内部设有两个胶体槽和金属导线层；所述两个胶体槽和金属导线层相通；所述金属导线层在所述基体内部延伸至基体底部外表面，并与所述基体底部的焊球电连接；所述基体底部外表面设有一层钝化层；所述两个胶体槽内灌入导电胶；所述导电胶与所述金属导线层接触相连；所述导电胶上表面高于所述基体的上表面；并且所述导电胶上粘结有焊点支柱；所述焊点支柱上设有芯片；所述芯片与所述基体和两个焊点支撑柱之间形成空隙，所述芯片的IDT功能区域设置于所述空隙内；所述基体上表面设有两个连接盘；所述连接盘上设有镂空玻璃支撑柱；所述芯片的两端内嵌于所述镂空玻璃支撑柱内；滤波芯片上方设有盖板；所述盖板与所述基体键合；

所述焊点支撑柱两侧分别设有支撑辅助片；所述支撑辅助片外侧设有导电胶柱；所述导电胶柱与所述导电胶高于所述基体的上表面的胶体部分黏连；

所述支撑辅助片的长度满足如下条件：

其中，H_p表示支撑辅助片的长度；D表示焊点支撑柱的宽度；H表示焊点支撑柱的高度；h表示所述导电胶高于所述基体的上表面的胶体部分的高度；α和β表示高度调整系数，且，α取值范围为0.64-0.78；β取值范围为2.3-3.5。

2.根据权利要求1所述声表面滤波器封装结构，其特征在于，所述导电胶柱的高度要超过所述支撑辅助片安装高度的0.67倍位置。

3.根据权利要求1所述声表面滤波器封装结构，其特征在于，所述导电胶高于所述基体的上表面的胶体部分的高度满足如下关系：

0.075Hh0.15H

其中，h表示所述导电胶高于所述基体的上表面的胶体部分的高度；H表示焊点支撑柱的高度。

4.根据权利要求1所述声表面滤波器封装结构，其特征在于，所述胶体槽包括第一梯形结构和第二梯形结构；所述第一梯形结构的下底和第二梯形结构的下底对合相通；所述第一梯形结构的高和下底尺寸大于所述第二梯形结构的高和下底尺寸；所述第一梯形结构的上底与所述焊点支撑柱相连；所述第二梯形结构的上底与所述金属导线层连接。

5.根据权利要求4所述声表面滤波器封装结构，其特征在于，所述第一梯形结构的下底的底面和所述第二梯形结构的下底的底面均为正方形结构；所述第一梯形结构的下底底面的边长与所述第二梯形结构的下底底面的边长之比的范围为1:0.92-1:0.83；所述第一梯形结构的高和所述第二梯形结构的高的比值为11:9。

6.根据权利要求1所述声表面滤波器封装结构，其特征在于，所述镂空玻璃支撑柱包括两个镂空侧壁和一个平面侧壁；所述两个镂空侧壁和一个平面侧壁依次相互垂直连接设置；所述两个镂空侧壁分别抵置于所述滤波芯片的前后侧壁上；所述平面侧壁抵置在所述滤波芯片的两端端壁上。

7.根据权利要求6所述声表面滤波器封装结构，其特征在于，所述镂空侧壁与所述连接盘相连的一侧底边上设有直角梯形镂空结构；所述直角梯形镂空结构上设有倾斜梁；所述倾斜梁与所述镂空侧壁顶边之间设有一角设有矩形凸起的平行四边形镂空结构；其中，所述平行四边形镂空结构的设有矩形凸起的一角为靠近所述滤波芯片的侧壁中心位置的一角；所述镂空侧壁的顶边靠近所述滤波芯片的侧壁中心位置的一侧上设有直角梯形延展部；所述平行四边形镂空结构的一侧设有承载凸起，所述承载凸起用于承载所述滤波芯片。

8.根据权利要求7所述声表面滤波器封装结构，其特征在于，所述直角梯形镂空结构的长底边与所述平行四边形镂空结构的长边之比为1:2；所述直角梯形镂空结构的短底边与所述平行四边形镂空结构的长边之比为1:3；所述矩形凸起为正方形凸起，所述正方形凸起的边长L的取值范围为：0.15h_l≤L≤0.18h_l，其中，h_l表示所述平行四边形镂空结构的高。