[发明专利]一种缓压式半导体芯片封装装置

权利要求书

1.一种缓压式半导体芯片封装装置，包括上动板(1)和下定板(2)，所述上动板(1)和下定板(2)之间连接有多个液压杆(3)，所述下定板(2)上端设置有压板(4)，所述上动板(1)下单固定连接有压板(4)，所述压板(4)与下定板(2)相互对应，其特征在于：所述上动板(1)和压板(4)上固定贯穿有注料管(5)，所述注料管(5)与外界相通，所述封装盘(6)底部电性连接有电磁板(7)，所述压板(4)底部开凿有缓压腔，所述缓压腔的口部固定连接有压变层(9)，所述缓压腔的前后内壁之间通过电动转轴连接有多个均匀分布的换向压柱(8)，所述换向压柱(8)下端部与压变层(9)相互贴附，所述注料管(5)下端部贯穿压变层(9)并与压变层(9)固定连接。

2.根据权利要求1所述的一种缓压式半导体芯片封装装置，其特征在于：所述压变层(9)为耐高温的弹性结构制成，所述换向压柱(8)为半圆柱状结构，且换向压柱(8)的平直面与压变层(9)接触，换向压柱(8)的柱面朝向上方。

3.根据权利要求2所述的一种缓压式半导体芯片封装装置，其特征在于：所述电动转轴每次转动角度均为平角，且相邻两个换向压柱(8)不同时转动。

4.根据权利要求1所述的一种缓压式半导体芯片封装装置，其特征在于：相邻两个所述换向压柱(8)的边缘相互接触，所述缓压腔的纵向深度大于换向压柱(8)直径。

5.根据权利要求1所述的一种缓压式半导体芯片封装装置，其特征在于：所述换向压柱(8)包括定型层(81)以及固定连接在定型层(81)上端部的磁动层(82)，所述远离定型层(81)的端部设有助压排杆，所述定型层(81)两端中部均固定连接有连杆(10)，所述连杆(10)与电动转轴连接。

6.根据权利要求4所述的一种缓压式半导体芯片封装装置，其特征在于：所述助压排杆为沿着磁动层（82）延伸至的杆状结构，且助压排杆为铁磁性材料制成。

7.根据权利要求4所述的一种缓压式半导体芯片封装装置，其特征在于：所述磁动层(82)为弹性结构，所述定型层(81)为硬质结构，且定型层(81)在纵向的厚度不大于换向压柱(8)半径的1/3。

8.根据权利要求5所述的一种缓压式半导体芯片封装装置，其特征在于：所述助压排杆包括与磁动层(82)中部固定连接的聚力杆(101)、两组分别固定镶嵌在定型层(81)上的包粒半球(103)以及分别连接在两组包粒半球(103)与聚力杆(101)之间的两组导球杆(102)，所述包粒半球(103)内部放置有多个均匀分布的控磁球(12)。

9.根据权利要求8所述的一种缓压式半导体芯片封装装置，其特征在于：所述聚力杆(101)为硬质结构，所述磁动层(82)为弹性结构，所述导球杆(102)与聚力杆(101)的连接处为弹性结构，导球杆(102)的其余部分为高磁导率材料制成，且弹性部分的导球杆(102)直径为其余部分直径的2-3倍。

10.根据权利要求9所述的一种缓压式半导体芯片封装装置，其特征在于：所述控磁球(12)为铁质结构，且控磁球(12)直径小于导球杆(102)的内径。