[发明专利]一种缓压式半导体芯片封装装置

说明书

本发明公开了一种缓压式半导体芯片封装装置，属于半导体封装领域，一种缓压式半导体芯片封装装置，浇注环氧树脂后，配合外加磁场的操作，在控制换向压柱不断转动的过程中，压变层不断发生向下的形变，从而对熔融的环氧树脂起到推挤作用，有效迫使其内部的空隙塌陷，显著降低封装后环氧树脂层内的空隙量，有效保证芯片使用时稳定性以及散热性不易受到影响，另外，配合助压排杆的作用，在柱面朝向压变层时，换向压柱下端部受到的磁吸力缓慢增大，进而对环氧树脂的挤压缓慢增大，相较于现有技术，使环氧树脂层不易因瞬时受力过大导致受力周边部分重新产生空隙的情况发生，大幅度提高对环氧树脂内孔隙的消除效果。

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，更具体地说，涉及一种缓压式半导体芯片封装装置。

背景技术

封装，就是指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接。封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB的设计和制造，因此它是至关重要的。

现有技术中，在通过环氧树脂对半导体进行封装时，浇注形成的环氧树脂内容易存在空隙，导致芯片在使用时的散热性以及稳定性均受到影响，导致芯片在封装后质量受到影响，在申请号为CN202111161480.6的已授权专利《一种传递式芯片封装装置》中，虽然很好的解决了上述问题，但是，在实际封装时，在外加磁场作用力下熔融的环氧树脂局部受到的瞬时力会突然增大，虽然消除的内部空隙，但是受力周边易因瞬时受力过大而产生新的细小气泡，导致在封装后，环氧树脂层仍然存在一定的空隙。

发明内容

1.要解决的技术问题

针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种缓压式半导体芯片封装装置，浇注环氧树脂后，配合外加磁场的操作，在控制换向压柱不断转动的过程中，压变层不断发生向下的形变，从而对熔融的环氧树脂起到推挤作用，有效迫使其内部的空隙塌陷，显著降低封装后环氧树脂层内的空隙量，有效保证芯片使用时稳定性以及散热性不易受到影响，另外，配合助压排杆的作用，在柱面朝向压变层时，换向压柱下端部受到的磁吸力缓慢增大，进而对环氧树脂的挤压缓慢增大，相较于现有技术，使环氧树脂层不易因瞬时受力过大导致受力周边部分重新产生空隙的情况发生，大幅度提高对环氧树脂内孔隙的消除效果。

2.技术方案

为解决上述问题，本发明采用如下的技术方案。

一种缓压式半导体芯片封装装置，包括上动板和下定板，所述上动板和下定板之间连接有多个液压杆，所述下定板上端设置有压板，所述上动板下单固定连接有压板，所述压板与下定板相互对应，所述上动板和压板上固定贯穿有注料管，所述注料管与外界相通，所述封装盘底部电性连接有电磁板，所述压板底部开凿有缓压腔，所述缓压腔的口部固定连接有压变层，所述缓压腔的前后内壁之间通过电动转轴连接有多个均匀分布的换向压柱，所述换向压柱下端部与压变层相互贴附，所述注料管下端部贯穿压变层并与压变层固定连接。

进一步的，所述压变层为耐高温的弹性结构制成，所述换向压柱为半圆柱状结构，且换向压柱的平直面与压变层接触，换向压柱的柱面朝向上方。

进一步的，所述换向压柱上端部为铁磁性材料制成，所述电动转轴每次转动角度均为平角，且相邻两个换向压柱不同时转动，同一个换向压柱两次转动之间间隔不小于5秒。

进一步的，相邻两个所述换向压柱的边缘相互接触，所述缓压腔的纵向深度大于换向压柱直径。