[发明专利]晶片背面减薄的异常返工方法

权利要求书

1.一种晶片背面减薄的异常返工方法，用于对未完成背面减薄的异常晶片进行返工，其特征在于，包括：

提供支撑片，所述支撑片和所述异常晶片的径向尺寸相同；

将所述支撑片传送至晶背减薄机台的对准工作台，且所述支撑片背面朝上的放置在所述对准工作台上；

所述晶背减薄机台检测所述支撑片背面的中心，且在获得所述中心的位置后，暂停所述晶背减薄机台；

在所述支撑片的背面上形成水膜；

将所述异常晶片正面朝下的放置在所述支撑片的背面上，且使得所述异常晶片和所述支撑片的边缘重合，所述水膜将所述异常晶片与所述支撑片粘合；

启动所述晶背减薄机台，传送机械手从所述异常晶片的背面抓取所述异常晶片和所述支撑片，在所述传送机械手提升设定高度后，暂停所述晶背减薄机台；

将所述支撑片从所述异常晶片的正面剥离；

再次启动所述晶背减薄机台，将所述异常晶片传递到相应的研磨工作台，以继续对所述异常晶片进行背面减薄处理。

2.如权利要求1所述的异常返工方法，其特征在于，在所述支撑片的背面上形成水膜的方法包括：

用水将无尘布浸润；

挤压所述无尘布，使得所述无尘布上的水部分滴落在所述支撑片的背面上形成所述水膜。

3.如权利要求1所述的异常返工方法，其特征在于，所述支撑片和所述异常晶片的边缘均具有缺口，且所述支撑片和所述异常晶片的缺口尺寸相同；将所述异常晶片正面朝下的放置在所述支撑片的背面上的方法包括：

使得所述异常晶片的缺口与所述支撑片的缺口重合。

4.如权利要求1所述的异常返工方法，其特征在于，将所述支撑片从所述异常晶片的正面剥离的方法包括：

在所述支撑片的背面所在的平面内将所述支撑片推出所述异常晶片的正面。

5.如权利要求1所述的异常返工方法，其特征在于，将所述支撑片从所述异常晶片的正面剥离的方法包括：

从所述支撑片和所述异常晶片的侧面吹入压缩空气，所述压缩空气至少将部分所述水膜从所述支撑片和所述异常晶片之间吹出，进而使得所述支撑片和所述异常晶片分离。

6.如权利要求1所述的异常返工方法，其特征在于，所述晶片背面减薄采用的工艺为Taiko工艺，所述Taiko工艺包括：对晶片背面的中心区域进行粗磨以及对所述晶片背面的中心区域进行精磨；

在所述Taiko工艺中，由于异常而未完成背面减薄的晶片为异常晶片。

7.如权利要求6所述的异常返工方法，其特征在于，当所述异常晶片已经完成所述粗磨且未进行所述精磨时，将所述异常晶片传递到相应的研磨工作台的方法包括：

所述传送机械手将所述异常晶片传递至转送工作台；

所述转送工作台将所述异常晶片送入精磨工作台。

8.如权利要求6所述的异常返工方法，其特征在于，当所述异常晶片未完成所述粗磨时，将所述异常晶片传递到相应的研磨工作台的方法包括：

所述传送机械手将所述异常晶片传递至转送工作台；

所述转送工作台将所述异常晶片送入粗磨工作台。

9.如权利要求1至8任意一项所述的异常返工方法，其特征在于，所述支撑片为支撑晶圆、玻璃板或树脂板。

10.如权利要求1至8任意一项所述的异常返工方法，其特征在于，所述支撑片的背面覆盖有保护膜，所述水膜形成在所述保护膜上。