[发明专利]晶片背面减薄的异常返工方法

说明书

本发明提供的晶片背面减薄的异常返工方法，用于对未完成背面减薄的异常晶片进行返工。所述异常返工方法包括：提供径向尺寸与异常晶片相同的支撑片；将支撑片背面朝上的传送至对准工作台上；检测支撑片背面的中心且暂停晶背减薄机台；在支撑片的背面上形成水膜；将异常晶片正面朝下的放置在支撑片的背面上，且使得异常晶片和支撑片的边缘重合，水膜将异常晶片与支撑片粘合；启动晶背减薄机台，传送机械手从异常晶片的背面抓取异常晶片和支撑片，在提升设定高度后，暂停晶背减薄机台；将支撑片从异常晶片的正面剥离；再次启动晶背减薄机台，将异常晶片传递到相应的研磨工作台。如此，可以对异常晶片进行返工，有助于提高产品的良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶片背面减薄的异常返工方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，集成电路工艺已经开始着手5nm甚至3nm的研究。随着特征尺寸的减小化，集成电路单位面积的晶体管数量随之倍增，集成电路的功能也随之更加强大。在探讨如何降低集成电路中器件的热阻，做好器件的散热和冷却等关键问题时，提出了晶片背面减薄工艺。

一种常用的晶片背面减薄工艺是Taiko工艺。利用TaiKo工艺对晶片背面进行磨削时，将保留晶片外围的边缘部分，只对圆内(即晶片背面的中心区域)进行磨削薄化。目前在Taiko工艺中，通过Z1和Z2两个磨轮依次对晶片进行粗磨和精磨。但是，在减薄过程中，由于晶背减薄机台的报警或故障，存在晶片经Z1磨轮粗磨以后无法继续转移至Z2磨轮进行精磨的问题，这种情况下将产生面临报废的异常晶片。如何对未完成背面减薄的异常晶片进行返工急需解决。

发明内容

本发明提供一种晶片背面减薄的异常返工方法，可以对未完成背面减薄的异常晶片进行返工，有助于提高产品良率。

为了实现上述目的，本发明提供一种晶片背面减薄的异常返工方法，用于对未完成背面减薄的异常晶片进行返工。所述异常返工方法包括：

提供支撑片，所述支撑片和所述异常晶片的径向尺寸相同；

将所述支撑片传送至晶背减薄机台的对准工作台，且所述支撑片背面朝上的放置在所述对准工作台上；

所述晶背减薄机台检测所述支撑片背面的中心，且在获得所述中心的位置后，暂停所述晶背减薄机台；

在所述支撑片的背面上形成水膜；

将所述异常晶片正面朝下的放置在所述支撑片的背面上，且使得所述异常晶片和所述支撑片的边缘重合，所述水膜将所述异常晶片与所述支撑片粘合；

启动所述晶背减薄机台，传送机械手从所述异常晶片的背面抓取所述异常晶片和所述支撑片，在所述传送机械手提升设定高度后，暂停所述晶背减薄机台；

将所述支撑片从所述异常晶片的正面剥离；

再次启动所述晶背减薄机台，将所述异常晶片传递到相应的研磨工作台，以继续对所述异常晶片进行背面减薄处理。

可选的，在所述支撑片的背面上形成水膜的方法包括：用水将无尘布浸润；挤压所述无尘布，使得所述无尘布上的水部分滴落在所述支撑片的背面上形成所述水膜。

可选的，所述支撑片和所述异常晶片的边缘均具有缺口，且所述支撑片和所述异常晶片的缺口尺寸相同；将所述异常晶片正面朝下的放置在所述支撑片的背面上的方法包括：使得所述异常晶片的缺口与所述支撑片的缺口重合。

可选的，将所述支撑片从所述异常晶片的正面剥离的方法包括：在所述支撑片的背面所在的平面内将所述支撑片推出所述异常晶片的正面。

可选的，将所述支撑片从所述异常晶片的正面剥离的方法包括：从所述支撑片和所述异常晶片的侧面吹入压缩空气，所述压缩空气至少将部分所述水膜从所述支撑片和所述异常晶片之间吹出，进而使得所述支撑片和所述异常晶片分离。