[发明专利]薄膜电路侧面图形化方法、薄膜电路批量制备方法及系统

权利要求书

1.一种薄膜电路侧面图形化方法，其特征在于，所述薄膜电路侧面图形化方法，包括：

在激光诱导母体板上涂覆纳米金属颗粒-有机物涂层，并对纳米金属颗粒-有机物涂层进行风干处理；

将激光诱导母体中涂覆有风干后的纳米金属颗粒-有机物涂层得一面紧贴基板侧面；

利用激光按照预设侧面电路图形照射贴有激光诱导母体板的基板侧面，使得激光照射处纳米金属颗粒-有机物涂层中的纳米金属颗粒固化在基板侧面上，形成侧面电路图形；

移除激光照射后的激光诱导母体板。

2.根据权利要求1所述的薄膜电路侧面图形化方法，其特征在于，在激光诱导母体板上涂覆纳米金属颗粒-有机物涂层，并对纳米金属颗粒-有机物涂层进行风干处理之前，还包括：

在激光诱导母体板上涂覆金属涂层，并对金属涂层进行风干处理。

3.根据权利要求2所述的薄膜电路侧面图形化方法，其特征在于，所述金属涂层为钼或铬。

4.根据权利要求1所述的薄膜电路侧面图形化方法，其特征在于，所述激光诱导母体板为聚对苯二甲酸类塑料板。

5.根据权利要求1所述的薄膜电路侧面图形化方法，其特征在于，所述纳米金属颗粒-有机物涂层中的金属为银或铜。

6.根据权利要求1所述的薄膜电路侧面图形化方法，其特征在于，所述纳米金属颗粒-有机物涂层中的有机物为聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛酯或聚氯乙烯中的一种。

7.一种薄膜电路批量制备方法，其特征在于，所述薄膜电路批量制备方法，包括：

按照预设正面电路图形，利用金属薄膜沉积、光刻和蚀刻技术在基板上表面制备正面电路图形阵列；

按照预设背面电路图形，利用金属薄膜沉积、光刻和蚀刻技术在基板下表面制备背面电路图形阵列；所述背面电路图形阵列中的多个背面电路图形的位置与所述正面电路图形阵列中的多个正面电路图形一一对应；

按照正面电路图形阵列的行数对制备有正面电路图形阵列和背面电路图形阵列的基板进行切割处理，得到多个子基板；

确定任一子基板为当前子基板；

利用如权利要求1-6任一项所述的薄膜电路侧面图形化方法，在所述当前子基板的切割侧面上同时制备多个侧面电路图形；多个所述处理侧面电路图形的位置与所述当前子基板上表面的多个正面电路图形的位置一一对应；所述切割侧面为按照正面电路图形阵列的行对制备有正面电路图形阵列和背面电路图形阵列的基板进行切割处理形成的切割面；

按照正面电路图形阵列的列数对制备有多个侧面电路图形的当前子基板进行切割处理，得到多个薄膜电路。

8.一种薄膜电路批量制备系统，其特征在于，所述薄膜电路批量制备系统，包括：

正面电路图形阵列制备模块，用于按照预设正面电路图形，利用金属薄膜沉积、光刻和蚀刻技术在基板上表面制备正面电路图形阵列；

背面电路图形阵列制备模块，用于按照预设背面电路图形，利用金属薄膜沉积、光刻和蚀刻技术在基板下表面制备背面电路图形阵列；所述背面电路图形阵列中的多个背面电路图形的位置与所述正面电路图形阵列中的多个正面电路图形一一对应；

第一切割模块，用于按照正面电路图形阵列的行数对制备有正面电路图形阵列和背面电路图形阵列的基板进行切割处理，得到多个子基板；

当前子基板确定模块，用于确定任一子基板为当前子基板；

侧面电路图形阵列制备模块，用于利用如权利要求1-6任一项所述的薄膜电路侧面图形化方法，在所述当前子基板的切割侧面上同时制备多个侧面电路图形；多个所述处理侧面电路图形的位置与所述当前子基板上表面的多个正面电路图形的位置一一对应；所述切割侧面为按照正面电路图形阵列的行对制备有正面电路图形阵列和背面电路图形阵列的基板进行切割处理形成的切割面；

第二切割模块，用于按照正面电路图形阵列的列数对制备有多个侧面电路图形的当前子基板进行切割处理，得到多个薄膜电路。