[发明专利]薄膜电路侧面图形化方法、薄膜电路批量制备方法及系统

说明书

本发明提供了一种薄膜电路侧面图形化方法、薄膜电路批量制备方法及系统，其中，薄膜电路侧面图形化方法，包括：在激光诱导母体板上涂覆纳米金属颗粒‑有机物涂层，并对纳米金属颗粒‑有机物涂层进行风干处理；将激光诱导母体中涂覆有风干后的纳米金属颗粒‑有机物涂层得一面紧贴基板侧面；利用激光按照预设侧面电路图形照射贴有激光诱导母体板的基板侧面，使得激光照射处纳米金属颗粒‑有机物涂层中的纳米金属颗粒固化在基板侧面上，形成侧面电路图形；移除激光照射后的激光诱导母体板。本发明避免了液态纳米金属颗粒‑有机物涂层直接与基板接触污染正面电路图形和背面电路图形。

技术领域

本发明涉及薄膜电路制备技术领域，特别是涉及一种薄膜电路侧面图形化方法、薄膜电路批量制备方法及系统。

背景技术

薄膜电路(Thin Film Circuits，TFC)是采用薄膜沉积工艺结合光刻、蚀刻工艺在氧化铝、氮化铝、微晶玻璃、蓝宝石、石英玻璃、铁氧体、微波陶瓷基板制备出电容器、电阻器、电感器、微带线等而成的一种电子元件。由于薄膜电路往往应用于微波频段，因此，薄膜电路又被称之为微波集成电路(Microwave integrated Circuits，MIC)。常用的薄膜电路只能在基板的正反面布置电路图形，而随着三维电子组件技术(Three–dimensionalmoulded interconnect device or electronic assemblies，3D-MID)的发展，要求薄膜电路不但在正、背表面布置电路图形，还需要在侧面布置电路图形，并且正、背、侧面电路图形形成电气互连。如图1所示，侧面宽度等于薄膜电路基板的厚度，相对于其正、背面尺寸要小得多，因此在侧面制备电路图形比在正、背面制备电路图形难度大得多。

常用的侧面图形化薄膜电路的制备方法为光刻-蚀刻法。该方法先通过光刻-蚀刻的工艺，在薄膜电路基板的正面和背面制备出电路图形，然后将陶瓷基板切割成条状，露出需要图形化的侧面，然后在侧面沉积金属薄膜，再对侧面涂布光刻胶，对侧面进行曝光、蚀刻，实现侧面的图形化。专利CN102280407.A便是采用此方法制备侧面图形化的薄膜电路。此方法存在两个大的技术缺陷：第一，无论采用何种薄膜沉积工艺，侧面沉积金属薄膜时，已经制备出的正、背面电路表面也会沉积上少许的金属薄膜，造成正、背图形污染；第二，由于侧面尺寸较小，对侧面涂布光刻胶的过程，操作不方便，同时侧面光刻胶的均匀性较差，因此不易于批量生产，同时也难以获得较高质量的侧面电路图形。

另一种常用的侧面图形化的方法是“激光直写”法。该方法先在薄膜电路基板的正、背面制备出电路图形，然后将陶瓷基板切割成条状，露出需要图形化的侧面，接着在侧面涂布含有金属颗粒的涂层(该涂层一般由纳米金属颗粒与有机物混合而成)，然后利用激光照射侧面需要形成电路的区域，激光照射完成之后，在某种有机溶剂中对激光照射后的样品进行清洗。被激光照射到的区域，涂层中的有机物挥发，留下的纳米金属颗粒在激光的作用下固化在侧面，不能被有机溶剂清洗掉；未被照射到的区域的涂层溶于有机溶剂中，纳米金属颗粒也一起被清洗掉。该方法利用了激光照射的高精度，提高了电路图形的质量，但该方法仍需要对基板侧面涂布含有金属颗粒的涂层，涂布过程中仍会对正、背电路图形造成污染。

发明内容

本发明的目的是提供一种薄膜电路侧面图形化方法、薄膜电路批量制备方法及系统，能够在减少对薄膜电路基板正面电路图形和背面电路图形的污染的基础上，在基板侧面制备电路图形。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

一种薄膜电路侧面图形化方法，包括：

在激光诱导母体板上涂覆纳米金属颗粒-有机物涂层，并对纳米金属颗粒-有机物涂层进行风干处理；

将激光诱导母体中涂覆有风干后的纳米金属颗粒-有机物涂层得一面紧贴基板侧面；

利用激光按照预设侧面电路图形照射贴有激光诱导母体板的基板侧面，使得激光照射处纳米金属颗粒-有机物涂层中的纳米金属颗粒固化在基板侧面上，形成侧面电路图形；