[发明专利]一种检测外延生长后图形偏移的方法在审
| 申请号： | 202111541427.9 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114267622A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 董俊;张顾斌;王雷 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/66;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 检测 外延 生长 图形 偏移 方法 | ||
1.一种检测外延生长后图形偏移的方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供晶圆，在所述晶圆上形成多个当层图形；
步骤二、对所述晶圆上的所述多个当层图形进行外延生长，外延后的所述当层图形分别形成两类标记，其中一类命名为A对准标记，另一类命名为B对准标记；
步骤三、利用视觉成像对位光刻机形成与所述A对准标记对应的A套刻标记；利用高阶衍射对位光刻机形成与所述B对准标记对应的B套刻标记；
步骤四、分别量测所述A对准标记与所述A套刻标记之间的A套刻精度以及所述B对准标记与所述B套刻标记之间的B套刻精度；
步骤五、将所述A套刻精度与所述B套刻精度进行差异化比较。
2.根据权利要求1所述的检测外延生长后图形偏移的方法，其特征在于：步骤二中形成的所述A对准标记和所述B对准标记均位于所述晶圆的切割道上。
3.根据权利要求1所述的检测外延生长后图形偏移的方法，其特征在于：步骤一中的所述多个当层图形由同一光刻机曝光形成，所述多个当层图形的大小，形状分别相同。
4.根据权利要求1所述的检测外延生长后图形偏移的方法，其特征在于：步骤二中外延后形成的所述A对准标记和B对准标记中，外延层的厚度相同。
5.根据权利要求1所述的检测外延生长后图形偏移的方法，其特征在于：步骤三中的所述A套刻标记为叠对在所述A对准标记上的光刻胶图形。
6.根据权利要求5所述的检测外延生长后图形偏移的方法，其特征在于：步骤三中利用所述视觉成像对位光刻机经曝光和对位形成所述A套刻标记。
7.根据权利要求6所述的检测外延生长后图形偏移的方法，其特征在于：步骤三中所述视觉成像对位光刻机的对位方法为视场成像对准方法。
8.根据权利要求1所述的检测外延生长后图形偏移的方法，其特征在于：步骤三中的所述B套刻标记为叠对在所述B对准标记上的光刻胶图形。
9.根据权利要求8所述的检测外延生长后图形偏移的方法，其特征在于：步骤三中利用所述高阶衍射对位光刻机经曝光和对位形成所述B套刻标记。
10.根据权利要求9所述的检测外延生长后图形偏移的方法，其特征在于：步骤三中所述高阶衍射对位光刻机的对位方法为衍射成像对准方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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