[发明专利]一种检测外延生长后图形偏移的方法在审

申请号：	202111541427.9	申请日：	2021-12-16
公开（公告）号：	CN114267622A	公开（公告）日：	2022-04-01
发明（设计）人：	董俊;张顾斌;王雷	申请（专利权）人：	华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号：	H01L21/68	分类号：	H01L21/68;H01L21/66;G03F7/20
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	戴广志
地址：	214028 江***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种检测外延生长图形偏移方法
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【说明书】：

本发明提供一种检测外延生长后图形偏移的方法，在晶圆上形成多个当层图形；对晶圆上的多个当层图形进行外延生长，外延后的当层图形分别形成两类标记，其中一类命名为A对准标记，另一类命名为B对准标记；利用视觉成像对位光刻机形成与A对准标记对应的A套刻标记；利用高阶衍射对位光刻机形成与B对准标记对应的B套刻标记；分别量测所述A对准标记与A套刻标记之间的A套刻精度以及B对准标记与B套刻标记之间的B套刻精度；将A套刻精度与B套刻精度进行差异化比较。本发明的方法通过量测两种不同对位系统曝光后的套刻标记的矢量图，来检测晶圆上的图形是否发生位置的漂移，可以用于检测外延生长后图形偏移的方向及程度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种检测外延生长后图形偏移的方法。

背景技术

外延生长过程广泛的应用于多功能半导体领域，如BCD，功率半导体等，用于提高产品的耐高压性能；外延生长过程中，图形会沿着晶向发生漂移，为保证外延产品的稳定性，监测外延后图形漂移的稳定性具有关键的作用。

目前主要通过切片、染色的方式来判断图形的漂移，很难通过一种直观的方式去检测外延后图形的漂移。

因此，需要提出一种新的方法来解决上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种检测外延生长后图形偏移的方法，用于解决现有技术中无法准确检测外延生长后的图形漂移的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种检测外延生长后图形偏移的方法，至少包括：

步骤一、提供晶圆，在所述晶圆上形成多个当层图形；

步骤二、对所述晶圆上的所述多个当层图形进行外延生长，外延后的所述当层图形分别形成两类标记，其中一类命名为A对准标记，另一类命名为B对准标记；

步骤三、利用视觉成像对位光刻机形成与所述A对准标记对应的A套刻标记；利用高阶衍射对位光刻机形成与所述B对准标记对应的B套刻标记；