[发明专利]用于芯片封装件的结构和形成方法

权利要求书

1.一种芯片封装件，包括：

半导体管芯；

封装层，至少部分地包封所述半导体管芯；

聚合物层，位于所述半导体管芯和所述封装层上方，所述聚合物层覆盖所述封装层的整个顶面，所述聚合物层具有基本平坦的顶面；

互连结构，所述互连结构形成在所述半导体管芯和所述封装层上方以提供至所述半导体管芯的亚微米多输出互连件，所述互连结构包括：

介电层，位于所述聚合物层上方，其中，所述介电层由半导体氧化物材料制成，所述介电层比所述聚合物层硬；以及

导电部件，位于所述介电层中，其中，所述导电部件电连接至所述半导体管芯的导电焊盘，

其中，所述导电部件具有位于所述介电层中的第一导电线、和从所述第一导电线延伸出的位于所述聚合物层中的第一导电通孔，所述第一导电线位于所述聚合物层的平坦顶面上，并且与所述平坦顶面直接物理接触。

2.根据权利要求1所述的芯片封装件，其中，所述聚合物层与所述导电部件直接接触。

3.根据权利要求1所述的芯片封装件，其中，所述聚合物层与所述封装层直接接触。

4.根据权利要求1所述的芯片封装件，其中，所述介电层与所述聚合物层直接接触。

5.根据权利要求1所述的芯片封装件，还包括第二半导体管芯，其中，所述封装层至少部分地包封所述第二半导体管芯。

6.根据权利要求5所述的芯片封装件，其中，所述第二半导体管芯通过所述介电层中的第二导电部件电耦合至所述半导体管芯。

7.根据权利要求5所述的芯片封装件，其中，所述介电层和所述导电部件的顶面共平面。

8.根据权利要求1所述的芯片封装件，所述互连结构还包括：

第二介电层，位于所述介电层和所述导电部件上方，其中，所述第二介电层包括半导体氧化物材料；以及

第二导电部件，位于所述第二介电层中并且电连接至所述导电部件。

9.一种芯片封装件，包括：

半导体管芯；

模塑料层，至少部分地包封所述半导体管芯；

保护层，位于所述半导体管芯和所述模塑料层上方，所述聚合物层覆盖所述模塑料层的整个顶面，所述保护层具有基本平坦的顶面；

互连结构，所述互连结构形成在所述半导体管芯和所述封装层上方以提供至所述半导体管芯的亚微米多输出互连件，所述互连结构包括：

介电层，位于所述保护层上方，其中，所述介电层由半导体氧化物材料制成，所述介电层比所述保护层硬，以及

导电部件，位于所述介电层中，其中，所述导电部件电连接至所述半导体管芯的导电焊盘，

其中，所述导电部件具有位于所述介电层中的第一导电线、和从所述第一导电线延伸出的位于所述保护层中的第一导电通孔，所述第一导电线位于所述保护层的平坦顶面上，并且与所述平坦顶面直接物理接触。

10.一种用于形成芯片封装件的方法，包括：

在半导体管芯上方形成模塑料层以至少部分地包封所述半导体管芯；

在所述半导体管芯和所述模塑料层上方形成聚合物层，所述聚合物层覆盖所述模塑料层的整个顶面；在所述聚合物层上方形成介电层，其中，所述介电层由半导体氧化物材料制成，在所述介电层的形成之前平坦化所述聚合物层，所述介电层比所述聚合物层硬；

使用形成亚微米互连件的光刻和蚀刻工艺来图案化所述介电层以在所述介电层中形成部件开口；以及

在所述部件开口中形成导电部件，所述导电部件具有位于所述介电层中的第一导电线、和从所述第一导电线延伸出的位于所述聚合物层中的第一导电通孔，所述第一导电线位于所述聚合物层的平坦顶面上，并且与所述平坦顶面直接物理接触。