[发明专利]用于芯片封装件的结构和形成方法在审
申请号: | 202111543112.8 | 申请日: | 2016-08-26 |
公开(公告)号: | CN114220782A | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 余振华;邱文智 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/538;H01L25/065;H01L21/02;H01L21/3105;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/768 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 芯片 封装 结构 形成 方法 | ||
本发明的实施例提供了芯片封装件的结构和形成方法。该芯片封装件包括半导体管芯和部分地或全部地包封半导体管芯的封装层。该芯片封装件还包括位于半导体管芯和封装层上方的聚合物层。该芯片封装件还包括聚合物层上方的介电层。介电层基本由半导体氧化物材料制成。此外,该芯片封装件包括位于介电层中的电连接至半导体管芯的导电焊盘的导电部件。
本申请是2016年08月26日提交的标题为“用于芯片封装件的结构和 形成方法”、专利申请号为201610737866.X的分案申请。
技术领域
本发明的实施例涉及半导体领域,更具体地涉及用于芯片封装件的结 构和形成方法。
背景技术
随着半导体技术的持续不断地演进,半导体管芯变得越来越小。然而, 更多的功能需要集成至这些半导体管芯内。因此,这些半导体管芯具有封 装在更小的面积内的越来越大的数量的I/O焊盘,并且I/O焊盘的密度快速 增加。结果,半导体管芯的封装变得更难。
封装技术可以划分为多个类别。在封装的一个类别中,管芯在它们被 封装至其他晶圆上之前被切割与晶圆分离,并且仅封装“已知良好管芯”。 这种封装技术的一个优势是可能形成多输出芯片封装件,这意味着管芯上 的I/O焊盘可以被重新分配至比管芯本身更大的区域。因此,封装在管芯 的表面上的I/O焊盘的数量可以增加。
已经发展了新的封装技术以进一步提高半导体管芯的密度和功能。用 于半导体管芯的这些相对新型的封装技术面临着制造挑战。
发明内容
本发明的实施例提供了一种芯片封装件,包括:半导体管芯;封装层, 至少部分地包封所述半导体管芯;聚合物层,位于所述半导体管芯和所述 封装层上方;介电层,位于所述聚合物层上方,其中,所述介电层由半导 体氧化物材料制成;以及导电部件,位于所述介电层中,其中,所述导电 部件电连接至所述半导体管芯的导电焊盘。
本发明的实施例还提供了一种芯片封装件,包括:半导体管芯;模塑 料层,至少部分地包封所述半导体管芯;保护层,位于所述半导体管芯和 所述模塑料层上方;介电层,位于所述保护层上方,其中,所述介电层比 所述保护层硬,以及导电部件,位于所述介电层中,其中,所述导电部件 电连接至所述半导体管芯的导电焊盘。
本发明的实施例还提供了一种用于形成芯片封装件的方法,包括:在 半导体管芯上方形成模塑料层以至少部分地包封所述半导体管芯;在所述 半导体管芯和所述模塑料层上方形成聚合物层;在所述聚合物层上方形成 介电层,其中,所述介电层由半导体氧化物材料制成;以及在所述介电层 中形成导电部件。
附图说明
当结合附图进行阅读时,根据下面详细的描述可以更好地理解本发明 的实施例。应该强调的是,根据工业中的标准实践,对各种部件没有按比 例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各种部件的尺寸可以被任意增大或缩 小。
图1A至图1J是根据一些实施例的用于形成芯片封装件的工艺的各个 阶段的截面图。
图2是根据一些实施例的芯片封装件的截面图。
具体实施方式
以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施 例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然,这些 仅仅是实例,而不旨在限制本发明。例如,在以下描述中,在第二部件上 方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实 施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成附加的部件, 从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外,本发明可 在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的, 并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
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