[发明专利]一种半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202111545321.6 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114420634A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 卓明川;陈宏;曹秀亮;刘张李 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/768;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底内形成有源区和漏区；
在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述衬底及所述栅极结构；
在所述第一介质层上形成顶层金属层，且所述顶层金属层与所述栅极结构、所述源区和所述漏区电连接；
在所述第一介质层及所述顶层金属层上顺形地形成第二介质层；
刻蚀所述顶层金属层上方的所述第二介质层的部分厚度；
对所述第二介质层进行平坦化工艺以减薄所述顶层金属层上方的所述第二介质层。
2.如权利要求1所述的一种半导体器件的制备方法，其特征在于，对所述第二介质层进行平坦化工艺之后，所述顶层金属层上方的第二介质层的厚度为1μm～1.3μm。
3.如权利要求1所述的一种半导体器件的制备方法，其特征在于，刻蚀所述顶层金属层上方的所述第二介质层的部分宽度，在所述顶层金属层上方的所述第二介质层的中形成至少一个凸起部。
4.如权利要求3所述的一种半导体器件的制备方法，其特征在于，对所述第二介质层进行平坦化工艺直至去除所述凸起部。
5.如权利要求4所述的一种半导体器件的制备方法，其特征在于，去除所述凸起部之后，继续对所述第二介质层进行平坦化工艺，以去除所述顶层金属层上方剩余的所述第二介质层的部分厚度。
6.如权利要求1所述的一种半导体器件的制备方法，其特征在于，刻蚀以去除所述顶层金属层上方的所述第二介质层的全部宽度。
7.如权利要求1所述的一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二介质层的厚度大于所述顶层金属层的厚度。
8.如权利要求7所述的一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二介质层与所述顶层金属层的厚度差大于1μm。
9.如权利要求7所述的一种半导体器件的制备方法，其特征在于，进行平坦化工艺后，所述顶层金属层上的所述第二介质层的顶面高度大于或等于所述第一介质层上的所述第二介质层的顶面高度。
10.如权利要求1所述的一种半导体器件的制备方法，其特征在于，采用等离子增强化学气相沉积工艺或高密度等离子体化学气相沉积工艺形成所述第二介质层。
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