[发明专利]气体分流组件和具有其的晶体生长装置有效

专利信息
申请号: 202111547069.2 申请日: 2021-12-16
公开(公告)号: CN114411249B 公开(公告)日: 2023-09-01
发明(设计)人: 李向阳;陈俊宏 申请(专利权)人: 中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
主分类号: C30B27/00 分类号: C30B27/00;C30B27/02
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 赵静
地址: 221004 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 气体 分流 组件 具有 晶体生长 装置
【权利要求书】:

1.一种气体分流组件(1),其特征在于,所述气体分流组件(1)用于晶体生长装置(100)且设于所述晶体生长装置(100)的副室(2b)内,所述晶体生长装置(100)还包括炉体,所述炉体形成有保护气进口(2a),所述气体分流组件(1)适于设于所述炉体内且位于所述保护气进口(2a)的下游侧,所述气体分流组件(1)包括:

多个分流件(11),多个所述分流件(11)沿气流流向间隔排布,每个所述分流件(11)包括多个支撑框(111)和多个散风筋组(112),所述支撑框(111)为环形,多个所述支撑框(111)沿所述炉体的径向依次套设设置,每组所述散风筋组(112)包括多个沿所述炉体的周向间隔设置的散风筋(1121),相邻两个所述支撑框(111)之间通过一组所述散风筋组(112)相连,每个所述散风筋(1121)的两端分别与相应的两个所述支撑框(111)相连,相邻两个所述支撑框(111)和相邻两个所述散风筋(1121)共同限定出分流孔(110),

其中,多个所述分流件(11)包括沿所述气流流向依次设置的第一分流件(11a)、第二分流件(11b)和第三分流件(11c),所述第二分流件(11b)的所述分流孔(110)的分布密度大于所述第一分流件(11a)的所述分流孔(110)的分布密度,所述第二分流件(11b)和所述第三分流件(11c)之间的间距大于所述第二分流件(11b)和所述第一分流件(11a)之间的间距。

2.根据权利要求1所述的气体分流组件(1),其特征在于,

至少两组相邻所述散风筋组(112)的所述散风筋(1121)的数量相同,且所述至少两组相邻所述散风筋组(112)的所述散风筋(1121)一一对应相连;和/或,

至少两组相邻所述散风筋组(112)的所述散风筋(1121)沿所述炉体的周向错位设置。

3.根据权利要求1所述的气体分流组件(1),其特征在于,

至少两个相邻所述分流件(11)的所述支撑框(111)沿所述炉体的径向错位设置;和/或,

至少两个相邻所述分流件(11)的所述散风筋组(112)的所述散风筋(1121)沿所述炉体的周向错位设置。

4.根据权利要求1所述的气体分流组件(1),其特征在于,沿所述气流流向,至少三个相邻所述分流件(11)的所述分流孔(110)的分布密度增大。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的气体分流组件(1),其特征在于,还包括:

限位调节模块(12),所述限位调节模块(12)用于调节至少一个所述分流件(11)在所述气流流向上的位置;和/或,用于调节至少一个所述分流件(11)在所述炉体的周向上的位置。

6.根据权利要求5所述的气体分流组件(1),其特征在于,所述限位调节模块(12)包括多组沿所述炉体的轴向方向间隔设置的凸起组,多组所述凸起组与多个所述分流件(11)一一对应,每组所述凸起组包括沿所述炉体的周向方向间隔设置的多个支撑凸起(121),所述支撑凸起(121)适于设于所述炉体的内壁面上,所述分流件(11)的底壁上设有多个沿所述炉体的周向方向间隔设置的凹槽,每个所述支撑凸起(121)与至少两个所述凹槽中的任一个配合以支撑所述分流件(11)。

7.根据权利要求5所述的气体分流组件(1),其特征在于,所述限位调节模块包括支撑限位部,所述支撑限位部设于所述炉体的内壁面上,所述分流件(11)的侧壁上设有滑槽(113),所述滑槽(113)沿所述分流件(11)的周向方向延伸,所述支撑限位部嵌设在所述滑槽(113)内,所述分流件(11)适于相对所述炉体转动。

8.一种晶体生长装置(100),其特征在于,包括:

炉体,所述炉体内限定出炉腔,所述炉腔包括主室和副室(2b),所述副室(2b)设于所述主室的上侧;

坩埚,所述坩埚设于所述主室内;

气体分流组件(1),所述气体分流组件(1)为根据权利要求1-7中任一项所述的气体分流组件(1),且设于所述副室(2b)内。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司,未经中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111547069.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top